品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7806ADN-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@14A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ4410EY-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2385pF@25V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA64DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:27.8W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3420pF@15V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI5418DU-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€31W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1350pF@15V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:14.5mΩ@7.7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA400EDJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:19.2W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1265pF@15V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:19mΩ@11A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA462DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€19W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:570pF@15V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA12DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.5W€31W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2070pF@15V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1416EDH-T1-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.56W€2.8W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3.9A€3.9A
类型:N沟道
导通电阻:58mΩ@3.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR474DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.9W€29.8W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:985pF@15V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA02DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€71.4W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:117nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6150pF@15V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4160DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5.7W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2071pF@15V
连续漏极电流:25.4A
类型:N沟道
导通电阻:4.9mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2300DS-T1-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W€1.7W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:320pF@15V
连续漏极电流:3.1A€3.6A
类型:N沟道
导通电阻:68mΩ@2.9A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4368DY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8340pF@15V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4800BDY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:1.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:6.5A
类型:N沟道
导通电阻:18.5mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI5424DC-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€6.25W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@15V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@4.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQA470EEJ-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:13.6W
阈值电压:1.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:453pF@20V
连续漏极电流:2.25A
类型:N沟道
导通电阻:56mΩ@2A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2348ES-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:540pF@15V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ4410EY-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2385pF@25V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIDR390DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€125W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:153nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10180pF@15V
连续漏极电流:69.9A€100A
类型:N沟道
导通电阻:0.8mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA90DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:153nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10180pF@15V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:0.8mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4160DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5.7W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2071pF@15V
连续漏极电流:25.4A
类型:N沟道
导通电阻:4.9mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR474DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.9W€29.8W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:985pF@15V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA12DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.5W€31W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2070pF@15V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA468DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:19W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1290pF@15V
连续漏极电流:37.8A
类型:N沟道
导通电阻:8.4mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUM90N03-2M2P-E3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.75W€250W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:257nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12065pF@15V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@32A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR166DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€48W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:77nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3340pF@15V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ414EP-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:45W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1110pF@15V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@4.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7634BDP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€48W
阈值电压:2.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3150pF@15V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:5.4mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS06DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€65.7W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:77nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3660pF@15V
类型:N沟道
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI5424DC-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€6.25W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@15V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@4.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: