采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR420TRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€42W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：360pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@1.4A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA86251
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：363pF@75V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：175mΩ@2.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4170NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.76nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：432pF@15V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR420TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€42W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：360pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@1.4A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA86251
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：363pF@75V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：175mΩ@2.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50R2K0CEAUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：33W
阈值电压：3.5V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：124pF@100V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@600mA，13V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50R2K0CEAUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：33W
阈值电压：3.5V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：124pF@100V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@600mA，13V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR420TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€42W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：360pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@1.4A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3A01E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR420TRPBF-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€42W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：360pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@1.4A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR420TRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€42W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：360pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@1.4A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50R2K0CEAUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：33W
阈值电压：3.5V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：124pF@100V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@600mA，13V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50R2K0CEAUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：33W
阈值电压：3.5V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：124pF@100V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@600mA，13V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3A01E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA86251
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：363pF@75V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：175mΩ@2.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR420TRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€42W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：360pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@1.4A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR420TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€42W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：360pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@1.4A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4170NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.76nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：432pF@15V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR420TRPBF-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€42W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：360pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@1.4A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR420TRPBF-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€42W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：360pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@1.4A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3A01E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：2000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR420TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€42W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：360pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@1.4A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR420TRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€42W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：360pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@1.4A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4170NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.76nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：432pF@15V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA86251
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：363pF@75V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：175mΩ@2.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA86251
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：363pF@75V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：175mΩ@2.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA86251
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：363pF@75V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：175mΩ@2.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA86251
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：363pF@75V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：175mΩ@2.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4170NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.76nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：432pF@15V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4170NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.76nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：432pF@15V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
