采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN4010LFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：930mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1810pF@20V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@14A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN4010LFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：930mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1810pF@20V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@14A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GAN190-650FBEZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：2.5V@12.2mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.8nC@6V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：96pF@400V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@3.9A，6V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：{"21+"：179，"23+"：625}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6680AS
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1240pF@15V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@11.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GAN190-650FBEZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：2.5V@12.2mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.8nC@6V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：96pF@400V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@3.9A，6V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GAN190-650FBEZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：2.5V@12.2mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.8nC@6V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：96pF@400V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@3.9A，6V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN4010LFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：930mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1810pF@20V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@14A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN4010LFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：930mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1810pF@20V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@14A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GAN190-650FBEZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：2.5V@12.2mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.8nC@6V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：96pF@400V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@3.9A，6V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6680AS
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1240pF@15V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@11.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：980，"21+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF12N50NZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：42W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1235pF@25V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：520mΩ@5.75A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN4010LFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：930mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1810pF@20V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@14A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN4010LFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：930mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1810pF@20V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@14A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：980，"21+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF12N50NZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：42W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1235pF@25V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：520mΩ@5.75A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN4010LFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：930mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1810pF@20V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@14A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GAN190-650FBEZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：2.5V@12.2mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.8nC@6V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：96pF@400V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@3.9A，6V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN4010LFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：930mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1810pF@20V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@14A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GAN190-650FBEZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：2.5V@12.2mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.8nC@6V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：96pF@400V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@3.9A，6V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GAN190-650FBEZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：2.5V@12.2mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.8nC@6V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：96pF@400V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@3.9A，6V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GAN190-650FBEZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：2.5V@12.2mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.8nC@6V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：96pF@400V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@3.9A，6V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：980，"21+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF12N50NZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：42W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1235pF@25V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：520mΩ@5.75A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GAN190-650FBEZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：2.5V@12.2mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.8nC@6V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：96pF@400V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@3.9A，6V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GAN190-650FBEZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：2.5V@12.2mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.8nC@6V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：96pF@400V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@3.9A，6V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN4010LFG-7
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：12mΩ@14A，10V
漏源电压：40V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
功率：930mW
输入电容：1810pF@20V
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：37nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
