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品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LND150N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
ECCN：EAR99
包装方式：袋
输入电容：10pF@25V
连续漏极电流：30mA
类型：N沟道
导通电阻：1000Ω@500µA，0V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LND150N3-G-P003
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10pF@25V
连续漏极电流：30mA
类型：N沟道
导通电阻：1000Ω@500µA，0V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN3545N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
ECCN：EAR99
包装方式：袋
输入电容：360pF@25V
连续漏极电流：136mA
类型：N沟道
导通电阻：20Ω@150mA，0V
漏源电压：450V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LND150N3-G-P014
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
ECCN：EAR99
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：10pF@25V
连续漏极电流：30mA
类型：N沟道
导通电阻：1000Ω@500µA，0V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LND150N3-G-P002
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10pF@25V
连续漏极电流：30mA
类型：N沟道
导通电阻：1000Ω@500µA，0V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LND150N3-G-P002
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10pF@25V
连续漏极电流：30mA
类型：N沟道
导通电阻：1000Ω@500µA，0V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN2210N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：2.4V@10mA
ECCN：EAR99
包装方式：袋
输入电容：500pF@25V
连续漏极电流：1.2A
类型：N沟道
导通电阻：350mΩ@4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LND150N3-G-P003
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10pF@25V
连续漏极电流：30mA
类型：N沟道
导通电阻：1000Ω@500µA，0V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LND150N3-G-P014
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
ECCN：EAR99
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：10pF@25V
连续漏极电流：30mA
类型：N沟道
导通电阻：1000Ω@500µA，0V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LND150N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
ECCN：EAR99
包装方式：袋
输入电容：10pF@25V
连续漏极电流：30mA
类型：N沟道
导通电阻：1000Ω@500µA，0V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN3545N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
ECCN：EAR99
包装方式：袋
输入电容：360pF@25V
连续漏极电流：136mA
类型：N沟道
导通电阻：20Ω@150mA，0V
漏源电压：450V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN2210N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：2.4V@10mA
ECCN：EAR99
包装方式：袋
输入电容：500pF@25V
连续漏极电流：1.2A
类型：N沟道
导通电阻：350mΩ@4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN2210N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：2.4V@10mA
ECCN：EAR99
包装方式：袋
输入电容：500pF@25V
连续漏极电流：1.2A
类型：N沟道
导通电阻：350mΩ@4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LND150N3-G-P003
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10pF@25V
连续漏极电流：30mA
类型：N沟道
导通电阻：1000Ω@500µA，0V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LND150N3-G-P014
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
ECCN：EAR99
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：10pF@25V
连续漏极电流：30mA
类型：N沟道
导通电阻：1000Ω@500µA，0V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN0604N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：1.6V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：袋
输入电容：190pF@20V
连续漏极电流：700mA
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@1.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LND150N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
ECCN：EAR99
包装方式：袋
输入电容：10pF@25V
连续漏极电流：30mA
类型：N沟道
导通电阻：1000Ω@500µA，0V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LND150N3-G-P014
功率：740mW
漏源电压：500V
输入电容：10pF@25V
工作温度：-55℃~150℃
包装方式：剪切带（CT）
导通电阻：1000Ω@500µA，0V
连续漏极电流：30mA
类型：N沟道
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN3545N3-G
功率：740mW
包装方式：袋
连续漏极电流：136mA
导通电阻：20Ω@150mA，0V
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：360pF@25V
类型：N沟道
ECCN：EAR99
漏源电压：450V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN2210N3-G
输入电容：500pF@25V
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：1.2A
类型：N沟道
阈值电压：2.4V@10mA
功率：740mW
包装方式：袋
导通电阻：350mΩ@4A，10V
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
