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品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP60N06VLK-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.2W€105W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3600pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：7.9mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH7R006PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：81W
阈值电压：2.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1875pF@30V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：13.5mΩ@10A，4.5V
漏源电压：60V
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输入电容：3600pF@25V
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类型：N沟道
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输入电容：3600pF@25V
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类型：N沟道
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导通电阻：7.9mΩ@30A，10V
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规格型号(MPN)：TPH7R006PL，L1Q
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功率：81W
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输入电容：1875pF@30V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：13.5mΩ@10A，4.5V
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功率：81W
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栅极电荷：22nC@10V
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输入电容：1875pF@30V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：13.5mΩ@10A，4.5V
漏源电压：60V
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品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NP60N06VLK-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.2W€105W
阈值电压：2.5V@250µA
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栅极电荷：56nC@10V
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连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：7.9mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NP60N06VLK-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.2W€105W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3600pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：7.9mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TPH7R006PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：81W
阈值电压：2.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1875pF@30V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：13.5mΩ@10A，4.5V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TPH7R006PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：81W
阈值电压：2.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1875pF@30V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：13.5mΩ@10A，4.5V
漏源电压：60V
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品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP60N06VLK-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.2W€105W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3600pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：7.9mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH7R006PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：81W
阈值电压：2.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1875pF@30V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：13.5mΩ@10A，4.5V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TPH7R006PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：81W
阈值电压：2.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1875pF@30V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：13.5mΩ@10A，4.5V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH7R006PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：81W
阈值电压：2.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1875pF@30V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：13.5mΩ@10A，4.5V
漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
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功率：81W
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输入电容：1875pF@30V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：13.5mΩ@10A，4.5V
漏源电压：60V
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH7R006PL，L1Q
包装方式：卷带（TR）
阈值电压：2.5V@200µA
功率：81W
类型：N沟道
输入电容：1875pF@30V
漏源电压：60V
工作温度：175℃
导通电阻：13.5mΩ@10A，4.5V
连续漏极电流：60A
栅极电荷：22nC@10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP60N06VLK-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.2W€105W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3600pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：7.9mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP60N06VLK-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.2W€105W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3600pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：7.9mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TW030N120C，S1F
工作温度：175℃
功率：249W
阈值电压：5V@13mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：82nC@18V
包装方式：管件
输入电容：2925pF@800V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@30A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
