采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：4213}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8444L-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：153W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5530pF@25V
连续漏极电流：16A€50A
类型：N沟道
导通电阻：5.2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH8012LK3-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.6W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1949pF@40V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@12A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"05+"：55，"06+"：1394，"07+"：5579，"08+"：632817，"11+"：2190，"14+"：5000，"16+"：4400，"17+"：900，"MI+"：20000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6294
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@5V
输入电容：1205pF@15V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：11.3mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6294
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@5V
输入电容：1205pF@15V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：11.3mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH6004LPSQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.6W€138W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4515pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH8012LK3-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.6W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1949pF@40V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@12A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH4014LFVWQ-7
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750pF@20V
连续漏极电流：11.5A€49.8A
类型：N沟道
导通电阻：13.7mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD4132
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€100W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：76nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4400pF@15V
连续漏极电流：85A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86570LET60
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.8W€65W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：88nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4790pF@30V
连续漏极电流：18A€87A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：7500，"21+"：1315}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD9411L-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：48.4W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1210pF@20V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86570LET60
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.8W€65W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：88nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4790pF@30V
连续漏极电流：18A€87A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMNH6012LK3Q-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1926pF@30V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8453LZ-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：118W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3515pF@20V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：6.7mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"06+"：379064，"07+"：16200，"08+"：2662，"09+"：4200}
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD78N03-35G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.4W€64W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：2250pF@12V
连续漏极电流：11.4A€78A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@78A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：2400，"24+"：0，"MI+"：800}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRL1404STRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€200W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：140nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6600pF@25V
连续漏极电流：160A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@95A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLR3105TRPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：57W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：710pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@15A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH4007LK3Q-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.6W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1895pF@30V
连续漏极电流：16.8A€70A
类型：N沟道
导通电阻：7.3mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：1975}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLR3705ZTRPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：130W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@25V
连续漏极电流：42A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@42A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：3000，"21+"：333800}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLR2905ZTRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：110W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1570pF@25V
连续漏极电流：42A
类型：N沟道
导通电阻：13.5mΩ@36A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1277}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB8832
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：265nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11400pF@15V
连续漏极电流：34A€80A
类型：N沟道
导通电阻：1.9mΩ@80A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH4014LFVWQ-7
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750pF@20V
连续漏极电流：11.5A€49.8A
类型：N沟道
导通电阻：13.7mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：2960}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8350LET40
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.33W€125W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：219nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：16590pF@20V
连续漏极电流：49A€300A
类型：N沟道
导通电阻：0.85mΩ@47A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：520，"22+"：3759，"23+"：3000，"MI+"：3255}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8360LET40
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.8W€75W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5300pF@20V
连续漏极电流：27A€141A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@27A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH10H015LPS-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.3W€46W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1871pF@50V
连续漏极电流：7.3A€44A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH6010LPSQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.6W€136W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2090pF@30V
连续漏极电流：13.5A€100A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：2960}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8350LET40
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.33W€125W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：219nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：16590pF@20V
连续漏极电流：49A€300A
类型：N沟道
导通电阻：0.85mΩ@47A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF76439S3ST
工作温度：-55℃~175℃
功率：180W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2745pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@75A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH6010LPSWQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.9W€75W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2090pF@30V
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF76439S3ST
工作温度：-55℃~175℃
功率：180W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2745pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@75A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCU15N10A-TP
工作温度：-55℃~175℃
功率：34W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：800pF@50V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
