采购热线 400-661-9010
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM130NB06CR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€83W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2380pF@30V
连续漏极电流：10A€51A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM130NB06CR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€83W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2380pF@30V
连续漏极电流：10A€51A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM130NB06CR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€83W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2380pF@30V
连续漏极电流：10A€51A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM130NB06CR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€83W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2380pF@30V
连续漏极电流：10A€51A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM045NB06CR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€136W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：104nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6870pF@30V
连续漏极电流：16A€104A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@16A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB2572
工作温度：-55℃~175℃
功率：135W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1770pF@25V
连续漏极电流：4A€29A
类型：N沟道
导通电阻：54mΩ@9A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM130NB06CR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€83W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2380pF@30V
连续漏极电流：10A€51A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM130NB06CR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€83W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2380pF@30V
连续漏极电流：10A€51A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM130NB06CR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€83W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2380pF@30V
连续漏极电流：10A€51A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM130NB06CR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€83W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2380pF@30V
连续漏极电流：10A€51A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM130NB06CR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€83W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2380pF@30V
连续漏极电流：10A€51A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM130NB06CR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€83W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2380pF@30V
连续漏极电流：10A€51A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM130NB06CR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€83W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2380pF@30V
连续漏极电流：10A€51A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM045NB06CR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€136W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：104nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6870pF@30V
连续漏极电流：16A€104A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@16A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB060AN08A0
工作温度：-55℃~175℃
功率：255W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：95nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5150pF@25V
连续漏极电流：16A€80A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@80A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR2905ZTRPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1380pF@25V
连续漏极电流：42A
类型：N沟道
导通电阻：14.5mΩ@36A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR120NTRPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@25V
连续漏极电流：9.4A
类型：N沟道
导通电阻：210mΩ@5.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：2365，"22+"：10}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86369-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2530pF@40V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：7.9mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM130NB06CR RLG
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：10A€51A
类型：N沟道
漏源电压：60V
栅极电荷：36nC@10V
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€83W
输入电容：2380pF@30V
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
导通电阻：13mΩ@10A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM130NB06CR RLG
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：10A€51A
类型：N沟道
漏源电压：60V
栅极电荷：36nC@10V
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€83W
输入电容：2380pF@30V
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
导通电阻：13mΩ@10A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM130NB06CR RLG
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：10A€51A
类型：N沟道
漏源电压：60V
栅极电荷：36nC@10V
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€83W
输入电容：2380pF@30V
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
导通电阻：13mΩ@10A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM130NB06CR RLG
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：10A€51A
类型：N沟道
漏源电压：60V
栅极电荷：36nC@10V
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€83W
输入电容：2380pF@30V
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
导通电阻：13mΩ@10A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM130NB06CR RLG
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：10A€51A
类型：N沟道
漏源电压：60V
栅极电荷：36nC@10V
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€83W
输入电容：2380pF@30V
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
导通电阻：13mΩ@10A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C612NT1G-TE
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€170W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4830pF@25V
连续漏极电流：35A€230A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH41M8SPSQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.03W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：79.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6968pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB6413ANT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@25V
连续漏极电流：42A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@42A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH6010SK3Q-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2841pF@30V
连续漏极电流：16.3A€70A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB86566-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：176W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6655pF@30V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF75545S3ST
工作温度：-55℃~175℃
功率：270W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：235nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3750pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@75A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C404NWFET1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€200W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：128nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8400pF@25V
连续漏极电流：53A€378A
类型：N沟道
导通电阻：0.70mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
