品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP026N10NF2SAKMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€250W
阈值电压:3.8V@169µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:154nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7300pF@50V
连续漏极电流:27A€184A
类型:N沟道
导通电阻:2.6mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IST011N06NM5AUMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€313W
阈值电压:3.3V@148µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:154nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8100pF@30V
连续漏极电流:38A€399A
类型:N沟道
导通电阻:1.1mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IST011N06NM5AUMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€313W
阈值电压:3.3V@148µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:154nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8100pF@30V
连续漏极电流:38A€399A
类型:N沟道
导通电阻:1.1mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IST011N06NM5AUMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€313W
阈值电压:3.3V@148µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:154nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8100pF@30V
连续漏极电流:38A€399A
类型:N沟道
导通电阻:1.1mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":387,"23+":5575}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86550ET60
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.3W€187W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:154nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8235pF@30V
连续漏极电流:32A€245A
类型:N沟道
导通电阻:1.65mΩ@32A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IST011N06NM5AUMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€313W
阈值电压:3.3V@148µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:154nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8100pF@30V
连续漏极电流:38A€399A
类型:N沟道
导通电阻:1.1mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP026N10NF2SAKMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€250W
阈值电压:3.8V@169µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:154nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7300pF@50V
连续漏极电流:27A€184A
类型:N沟道
导通电阻:2.6mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":387,"23+":5575}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86550ET60
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.3W€187W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:154nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8235pF@30V
连续漏极电流:32A€245A
类型:N沟道
导通电阻:1.65mΩ@32A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":1868}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86550ET60
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.3W€187W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:154nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8235pF@30V
连续漏极电流:32A€245A
类型:N沟道
导通电阻:1.65mΩ@32A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB026N10NF2SATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:3.8V@169µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:154nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7300pF@50V
连续漏极电流:162A
类型:N沟道
导通电阻:2.65mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":1868}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86550ET60
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.3W€187W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:154nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8235pF@30V
连续漏极电流:32A€245A
类型:N沟道
导通电阻:1.65mΩ@32A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":1868}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86550ET60
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.3W€187W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:154nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8235pF@30V
连续漏极电流:32A€245A
类型:N沟道
导通电阻:1.65mΩ@32A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP026N10NF2SAKMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€250W
阈值电压:3.8V@169µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:154nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7300pF@50V
连续漏极电流:27A€184A
类型:N沟道
导通电阻:2.6mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":387,"23+":5575}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86550ET60
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.3W€187W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:154nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8235pF@30V
连续漏极电流:32A€245A
类型:N沟道
导通电阻:1.65mΩ@32A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IST011N06NM5AUMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€313W
阈值电压:3.3V@148µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:154nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8100pF@30V
连续漏极电流:38A€399A
类型:N沟道
导通电阻:1.1mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IST011N06NM5AUMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€313W
阈值电压:3.3V@148µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:154nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8100pF@30V
连续漏极电流:38A€399A
类型:N沟道
导通电阻:1.1mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":387,"23+":5575}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86550ET60
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.3W€187W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:154nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8235pF@30V
连续漏极电流:32A€245A
类型:N沟道
导通电阻:1.65mΩ@32A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB026N10NF2SATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:3.8V@169µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:154nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7300pF@50V
连续漏极电流:162A
类型:N沟道
导通电阻:2.65mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB026N10NF2SATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:3.8V@169µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:154nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7300pF@50V
连续漏极电流:162A
类型:N沟道
导通电阻:2.65mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IST011N06NM5AUMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€313W
阈值电压:3.3V@148µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:154nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8100pF@30V
连续漏极电流:38A€399A
类型:N沟道
导通电阻:1.1mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IST011N06NM5AUMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€313W
阈值电压:3.3V@148µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:154nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8100pF@30V
连续漏极电流:38A€399A
类型:N沟道
导通电阻:1.1mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":800}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB026N10NF2SATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:3.8V@169µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:154nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7300pF@50V
连续漏极电流:162A
类型:N沟道
导通电阻:2.65mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB026N10NF2SATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:3.8V@169µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:154nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7300pF@50V
连续漏极电流:162A
类型:N沟道
导通电阻:2.65mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":387,"23+":5575}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86550ET60
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.3W€187W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:154nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8235pF@30V
连续漏极电流:32A€245A
类型:N沟道
导通电阻:1.65mΩ@32A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB026N10NF2SATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:3.8V@169µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:154nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7300pF@50V
连续漏极电流:162A
类型:N沟道
导通电阻:2.65mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":800}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB026N10NF2SATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:3.8V@169µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:154nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7300pF@50V
连续漏极电流:162A
类型:N沟道
导通电阻:2.65mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":1868}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86550ET60
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.3W€187W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:154nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8235pF@30V
连续漏极电流:32A€245A
类型:N沟道
导通电阻:1.65mΩ@32A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NXP
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":295}
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7E1R6-30E,127
工作温度:-55℃~175℃
功率:349W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:154nC@10V
包装方式:管件
输入电容:11960pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:1.6mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NXP
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"12+":277}
规格型号(MPN):BUK751R6-30E,127
漏源电压:30V
类型:N沟道
功率:349W
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:1.6mΩ@25A,10V
输入电容:11960pF@25V
包装方式:管件
栅极电荷:154nC@10V
阈值电压:4V@1mA
连续漏极电流:120A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):IPB026N10NF2SATMA1
连续漏极电流:162A
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:3.8V@169µA
功率:250W
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:2.65mΩ@100A,10V
栅极电荷:154nC@10V
ECCN:EAR99
输入电容:7300pF@50V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: