品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD075N03LGATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:47W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1900pF@15V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD075N03LGATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:47W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1900pF@15V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD075N03LGATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:47W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1900pF@15V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM150NB04LCR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€56W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:966pF@20V
连续漏极电流:10A€41A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS5C454NLTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€55W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@25V
连续漏极电流:20A€85A
类型:N沟道
导通电阻:3.8mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS5C454NLTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€55W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@25V
连续漏极电流:20A€85A
类型:N沟道
导通电阻:3.8mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS5C454NLTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€55W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@25V
连续漏极电流:20A€85A
类型:N沟道
导通电阻:3.8mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD558
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W€50W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1187pF@15V
连续漏极电流:17A€50A
类型:N沟道
导通电阻:5.4mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD558
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W€50W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1187pF@15V
连续漏极电流:17A€50A
类型:N沟道
导通电阻:5.4mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD558
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W€50W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1187pF@15V
连续漏极电流:17A€50A
类型:N沟道
导通电阻:5.4mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS5C454NLTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€55W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@25V
连续漏极电流:20A€85A
类型:N沟道
导通电阻:3.8mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPC50N04S55R8ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:42W
阈值电压:3.4V@13µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1090pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:5.8mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD075N03LGATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:47W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1900pF@15V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD075N03LGATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:47W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1900pF@15V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS5C454NLTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€55W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@25V
连续漏极电流:20A€85A
类型:N沟道
导通电阻:3.8mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS5C454NLTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€55W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@25V
连续漏极电流:20A€85A
类型:N沟道
导通电阻:3.8mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C456NLWFAFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:55W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@25V
连续漏极电流:87A
类型:N沟道
导通电阻:3.7mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C456NLWFAFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:55W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@25V
连续漏极电流:87A
类型:N沟道
导通电阻:3.7mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD075N03LGATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:47W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1900pF@15V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS5C454NLTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€55W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@25V
连续漏极电流:20A€85A
类型:N沟道
导通电阻:3.8mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS5C454NLTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€55W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@25V
连续漏极电流:20A€85A
类型:N沟道
导通电阻:3.8mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS5C454NLTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€55W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@25V
连续漏极电流:20A€85A
类型:N沟道
导通电阻:3.8mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD075N03LGATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:47W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1900pF@15V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS5C454NLTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€55W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@25V
连续漏极电流:20A€85A
类型:N沟道
导通电阻:3.8mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD25N06S240ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:4V@26µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:513pF@25V
连续漏极电流:29A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@13A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C456NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.6W€55W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@25V
连续漏极电流:87A
类型:N沟道
导通电阻:3.7mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS5C454NLTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€55W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@25V
连续漏极电流:20A€85A
类型:N沟道
导通电阻:3.8mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPC50N04S55R8ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:42W
阈值电压:3.4V@13µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1090pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:5.8mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC60N04S6N044ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:42W
阈值电压:3V@14µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1042pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:4.52mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC60N04S6N044ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:42W
阈值电压:3V@14µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1042pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:4.52mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: