采购热线 400-661-9010
销售单位：个
规格型号(MPN)：15N10
工作温度：-55℃~175℃
功率：55W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：632pF@50V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：15N10
工作温度：-55℃~175℃
功率：55W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：632pF@50V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC060N10NM6ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€125W
阈值电压：3.3V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2500pF@50V
连续漏极电流：15A€97A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB039N10N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：3.5V@160µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：117nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8410pF@50V
连续漏极电流：160A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN020-100YS，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：106W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2210pF@50V
连续漏极电流：43A
类型：N沟道
导通电阻：20.5mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19535KTT
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：3.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：98nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7930pF@50V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：3.4mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD2922
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W€17W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：310pF@50V
连续漏极电流：3.5A€7A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS010N10MCLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€77.8W
阈值电压：3V@85µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2150pF@50V
类型：N沟道
导通电阻：10.6mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：15N10
工作温度：-55℃~175℃
功率：55W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：632pF@50V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：15N10
工作温度：-55℃~175℃
功率：55W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：632pF@50V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：15N10
工作温度：-55℃~175℃
功率：55W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：632pF@50V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPT015N10N5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：3.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：211nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：16000pF@50V
连续漏极电流：300A
类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@150A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD50N10-8M9L_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2950pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：8.9mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R8-100BSEJ
工作温度：-55℃~175℃
功率：405W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：278nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14400pF@50V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC027N10NM6ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€217W
阈值电压：3.3V@116µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：72.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5500pF@50V
连续漏极电流：23A€192A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB042N10N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：3.5V@150µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：117nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8410pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTSC1D6N10MCTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：5.1W€291W
阈值电压：4V@650µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：106nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7630pF@50V
连续漏极电流：35A€267A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@90A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN039-100YS，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：74W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1847pF@50V
连续漏极电流：28.1A
类型：N沟道
导通电阻：39.5mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2398ES-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：2W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：152pF@50V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：300mΩ@1.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR120NTRPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@25V
连续漏极电流：9.4A
类型：N沟道
导通电阻：210mΩ@5.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9675-100A，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：99W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1704pF@25V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：72mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD482
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€100W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@50V
连续漏极电流：5A€32A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：15N10
工作温度：-55℃~175℃
功率：55W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：632pF@50V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ488EP-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：978pF@50V
连续漏极电流：42A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@7.1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMTS1D6N10MCTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W€291W
阈值电压：4V@650µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：106nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7630pF@50V
连续漏极电流：36A€273A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@90A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUZ18N10S5L420ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：30W
阈值电压：2.2V@8µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：470pF@50V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB6413ANT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@25V
连续漏极电流：42A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@42A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB180N10S402ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：3.5V@275µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：200nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14600pF@25V
连续漏极电流：180A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD70N10S312ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：4V@83µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4355pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：11.1mΩ@70A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJA68EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：45W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：92mΩ@4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
