品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRL100HS121
工作温度:-55℃~175℃
功率:11.5W
阈值电压:2.3V@10µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:440pF@50V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@6.7A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRL100HS121
工作温度:-55℃~175℃
功率:11.5W
阈值电压:2.3V@10µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:440pF@50V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@6.7A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GeneSiC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G3R350MT12D
工作温度:-55℃~175℃
功率:74W
阈值电压:2.69V@2mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@15V
包装方式:管件
输入电容:334pF@800V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:420mΩ@4A,15V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRL100HS121
工作温度:-55℃~175℃
功率:11.5W
阈值电压:2.3V@10µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:440pF@50V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@6.7A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS4672A
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:49nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4766pF@20V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:13mΩ@11A,4.5V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRL100HS121
工作温度:-55℃~175℃
功率:11.5W
阈值电压:2.3V@10µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:440pF@50V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@6.7A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GeneSiC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G3R350MT12D
工作温度:-55℃~175℃
功率:74W
阈值电压:2.69V@2mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@15V
包装方式:管件
输入电容:334pF@800V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:420mΩ@4A,15V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS4672A
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:49nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4766pF@20V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:13mΩ@11A,4.5V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":1969}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS4672A
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:49nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4766pF@20V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:13mΩ@11A,4.5V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRL100HS121
工作温度:-55℃~175℃
功率:11.5W
阈值电压:2.3V@10µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:440pF@50V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@6.7A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRL100HS121
工作温度:-55℃~175℃
功率:11.5W
阈值电压:2.3V@10µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:440pF@50V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@6.7A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS4672A
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:49nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4766pF@20V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:13mΩ@11A,4.5V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":1969}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS4672A
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:49nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4766pF@20V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:13mΩ@11A,4.5V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":2500}
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK72150-55A,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:36W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:322pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@5A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS4672A
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:49nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4766pF@20V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:13mΩ@11A,4.5V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS4672A
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:49nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4766pF@20V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:13mΩ@11A,4.5V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GeneSiC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G3R350MT12D
工作温度:-55℃~175℃
功率:74W
阈值电压:2.69V@2mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@15V
包装方式:管件
输入电容:334pF@800V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:420mΩ@4A,15V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GeneSiC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G3R350MT12D
工作温度:-55℃~175℃
功率:74W
阈值电压:2.69V@2mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@15V
包装方式:管件
输入电容:334pF@800V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:420mΩ@4A,15V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GeneSiC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G3R350MT12D
工作温度:-55℃~175℃
功率:74W
阈值电压:2.69V@2mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@15V
包装方式:管件
输入电容:334pF@800V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:420mΩ@4A,15V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRL100HS121
工作温度:-55℃~175℃
功率:11.5W
阈值电压:2.3V@10µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:440pF@50V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@6.7A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS4672A
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:49nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4766pF@20V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:13mΩ@11A,4.5V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GeneSiC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G3R350MT12D
工作温度:-55℃~175℃
功率:74W
阈值电压:2.69V@2mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@15V
包装方式:管件
输入电容:334pF@800V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:420mΩ@4A,15V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GeneSiC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G3R350MT12D
工作温度:-55℃~175℃
功率:74W
阈值电压:2.69V@2mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@15V
包装方式:管件
输入电容:334pF@800V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:420mΩ@4A,15V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRL100HS121
工作温度:-55℃~175℃
功率:11.5W
阈值电压:2.3V@10µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:440pF@50V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@6.7A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS4672A
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:49nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4766pF@20V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:13mΩ@11A,4.5V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRL100HS121
工作温度:-55℃~175℃
功率:11.5W
阈值电压:2.3V@10µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:440pF@50V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@6.7A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRL100HS121
工作温度:-55℃~175℃
功率:11.5W
阈值电压:2.3V@10µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:440pF@50V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@6.7A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRL100HS121
工作温度:-55℃~175℃
功率:11.5W
阈值电压:2.3V@10µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:440pF@50V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@6.7A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRL100HS121
工作温度:-55℃~175℃
功率:11.5W
阈值电压:2.3V@10µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:440pF@50V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@6.7A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NXP
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":1000,"9999":936}
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK95180-100A,127
工作温度:-55℃~175℃
功率:54W
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:管件
输入电容:619pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:173mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: