采购热线 400-661-9010
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138BKVL
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：56pF@10V
连续漏极电流：360mA
类型：N沟道
导通电阻：1.6Ω@350mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7868ADP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€83W
阈值电压：1.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：150nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6110pF@10V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：2.25mΩ@20A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：7495，"9999"：192}
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17311Q5
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W
阈值电压：1.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4280pF@15V
连续漏极电流：32A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@30A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17311Q5
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W
阈值电压：1.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4280pF@15V
连续漏极电流：32A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@30A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17311Q5
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W
阈值电压：1.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4280pF@15V
连续漏极电流：32A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@30A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17311Q5
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W
阈值电压：1.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4280pF@15V
连续漏极电流：32A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@30A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138BKW，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：260mW€830mW
阈值电压：1.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：56pF@10V
连续漏极电流：320mA
类型：N沟道
导通电阻：1.6Ω@320mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17311Q5
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W
阈值电压：1.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4280pF@15V
连续漏极电流：32A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@30A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138BKW，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：260mW€830mW
阈值电压：1.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：56pF@10V
连续漏极电流：320mA
类型：N沟道
导通电阻：1.6Ω@320mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：369psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17303Q5
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W
阈值电压：1.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：散装
输入电容：3420pF@15V
连续漏极电流：32A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@25A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17306Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W
阈值电压：1.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2170pF@15V
连续漏极电流：24A€100A
类型：N沟道
导通电阻：3.7mΩ@22A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138BKW，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：260mW€830mW
阈值电压：1.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：56pF@10V
连续漏极电流：320mA
类型：N沟道
导通电阻：1.6Ω@320mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN4800LSSQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.46W
阈值电压：1.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.7nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：798pF@10V
连续漏极电流：8.6A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7868ADP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€83W
阈值电压：1.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：150nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6110pF@10V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：2.25mΩ@20A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：369psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17303Q5
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W
阈值电压：1.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：散装
输入电容：3420pF@15V
连续漏极电流：32A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@25A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：369psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17303Q5
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W
阈值电压：1.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：散装
输入电容：3420pF@15V
连续漏极电流：32A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@25A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN4800LSSL-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.46W
阈值电压：1.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.7nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：798pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：369psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17303Q5
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W
阈值电压：1.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：散装
输入电容：3420pF@15V
连续漏极电流：32A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@25A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：369psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17303Q5
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W
阈值电压：1.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：散装
输入电容：3420pF@15V
连续漏极电流：32A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@25A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN31D5L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@15V
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN4800LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.46W
阈值电压：1.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.47nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：798pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN4800LSSL-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.46W
阈值电压：1.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.7nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：798pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN31D5L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@15V
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS176LDN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W€39W
阈值电压：1.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1660pF@35V
连续漏极电流：12.9A€42.3A
类型：N沟道
导通电阻：10.9mΩ@10A，4.5V
漏源电压：70V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS176LDN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W€39W
阈值电压：1.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1660pF@35V
连续漏极电流：12.9A€42.3A
类型：N沟道
导通电阻：10.9mΩ@10A，4.5V
漏源电压：70V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17306Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W
阈值电压：1.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2170pF@15V
连续漏极电流：24A€100A
类型：N沟道
导通电阻：3.7mΩ@22A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4402
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：1.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4630pF@10V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@20A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4402
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：1.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4630pF@10V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@20A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN4800LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.46W
阈值电压：1.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.47nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：798pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN4800LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.46W
阈值电压：1.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.47nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：798pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
