采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR140DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：170nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8150pF@10V
连续漏极电流：71.9A€100A
类型：N沟道
导通电阻：0.67mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：9000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLUS4C12NTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：630mW
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1172pF@15V
连续漏极电流：6.8A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3007LSSQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2714pF@15V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3070SSN-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：697pF@15V
连续漏极电流：4.2A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@4.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C027NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.51W€25.5W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1670pF@15V
连续漏极电流：16.4A€52A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C06NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：770mW€30.5W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1683pF@15V
连续漏极电流：11A€69A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3033LDM-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：755pF@10V
连续漏极电流：6.9A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@6.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C06NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：770mW€30.5W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1683pF@15V
连续漏极电流：11A€69A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C13NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@15V
连续漏极电流：7.2A€38A
类型：N沟道
导通电阻：9.1mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：126150}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NX7002BKVL
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23.6pF@10V
连续漏极电流：270mA
类型：N沟道
导通电阻：2.8Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：9000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C06NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：770mW€30.5W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1683pF@15V
连续漏极电流：11A€69A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002KW
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：310mA
类型：N沟道
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：75000，"16+"：4550，"22+"：136500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C13NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@15V
连续漏极电流：7.2A€38A
类型：N沟道
导通电阻：9.1mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：59192}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C032NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.46W€21.6W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@15V
连续漏极电流：13A€38A
类型：N沟道
导通电阻：7.35mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C08NT1G-001
工作温度：-55℃~150℃
功率：760mW
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1670pF@15V
连续漏极电流：9A€52A
类型：N沟道
导通电阻：5.8mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：761402}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS4C13NTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW€21.5W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@15V
连续漏极电流：7.2A
类型：N沟道
导通电阻：9.4mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：33000，"19+"：6000，"20+"：1500，"21+"：513300，"22+"：270000，"MI+"：1500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C027NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.51W€25.5W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1670pF@15V
连续漏极电流：16.4A€52A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NX7002BKR
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW€1.67W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23.6pF@10V
连续漏极电流：270mA
类型：N沟道
导通电阻：2.8Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：18000，"MI+"：1500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C09NBT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：760mW€25.5W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1252pF@15V
连续漏极电流：9A€52A
类型：N沟道
导通电阻：5.8mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NX7002BKWX
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW€1.67W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23.6pF@10V
连续漏极电流：270mA
类型：N沟道
导通电阻：2.8Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17507Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：530pF@15V
连续漏极电流：13A€65A
类型：N沟道
导通电阻：10.8mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NX7002BKHH
工作温度：-55℃~150℃
功率：380mW€2.8W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：22.2pF@30V
连续漏极电流：350mA
类型：N沟道
导通电阻：2.8Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NX7002BKHH
工作温度：-55℃~150℃
功率：380mW€2.8W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：22.2pF@30V
连续漏极电流：350mA
类型：N沟道
导通电阻：2.8Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：273，"20+"：1418，"21+"：1227，"22+"：17322}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C13NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@15V
连续漏极电流：7.2A€38A
类型：N沟道
导通电阻：9.1mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K72CFS，LF
工作温度：-55℃~150℃
功率：150mW
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.35nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：17pF@10V
连续漏极电流：170mA
类型：N沟道
导通电阻：3.9Ω@100mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NX7002BKSX
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW€1.67W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23.6pF@10V
连续漏极电流：270mA
类型：N沟道
导通电阻：2.8Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：273，"20+"：1418，"21+"：1227，"22+"：17322}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C13NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@15V
连续漏极电流：7.2A€38A
类型：N沟道
导通电阻：9.1mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NX7002BKHH
工作温度：-55℃~150℃
功率：380mW€2.8W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：22.2pF@30V
连续漏极电流：350mA
类型：N沟道
导通电阻：2.8Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K72CFS，LF
工作温度：-55℃~150℃
功率：150mW
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.35nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：17pF@10V
连续漏极电流：170mA
类型：N沟道
导通电阻：3.9Ω@100mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NX7002BKWX
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW€1.67W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23.6pF@10V
连续漏极电流：270mA
类型：N沟道
导通电阻：2.8Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
