品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI5418DU-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€31W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1350pF@15V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:14.5mΩ@7.7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA80R360P7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:3.5V@280µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:930pF@500V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@5.6A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS010N10MCLTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€52W
阈值电压:3V@85µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2150pF@50V
连续漏极电流:10.7A€50A
类型:N沟道
导通电阻:10.6mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFH14N85X
工作温度:-55℃~150℃
功率:460W
阈值电压:5.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1043pF@25V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:550mΩ@500mA,10V
漏源电压:850V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFA36N30P3
工作温度:-55℃~150℃
功率:347W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
输入电容:2040pF@25V
连续漏极电流:36A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@18A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP8N50D-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:527pF@100V
连续漏极电流:8.7A
类型:N沟道
导通电阻:850mΩ@4A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7818DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:2.2A
类型:N沟道
导通电阻:135mΩ@3.4A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS606BDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1470pF@50V
连续漏极电流:9.4A€35.3A
类型:N沟道
导通电阻:17.4mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H009SPS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2085pF@50V
连续漏极电流:14A€80A
类型:N沟道
导通电阻:8.5mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS606BDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1470pF@50V
连续漏极电流:9.4A€35.3A
类型:N沟道
导通电阻:17.4mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":937,"23+":750}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6680AS
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1240pF@15V
连续漏极电流:11.5A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@11.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4162DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1155pF@15V
连续漏极电流:19.3A
类型:N沟道
导通电阻:7.9mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H009SPS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2085pF@50V
连续漏极电流:14A€80A
类型:N沟道
导通电阻:8.5mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF840BPBF-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:527pF@100V
连续漏极电流:8.7A
类型:N沟道
导通电阻:850mΩ@4A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":8671,"MI+":1000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP10N60NZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:185W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1475pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:750mΩ@5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4162DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1155pF@15V
连续漏极电流:19.3A
类型:N沟道
导通电阻:7.9mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD7N60TM-WS
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:920pF@25V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":2000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5H425NLT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W€69W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1950pF@20V
连续漏极电流:25A€118A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS010N10MCLTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€52W
阈值电压:3V@85µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2150pF@50V
连续漏极电流:10.7A€50A
类型:N沟道
导通电阻:10.6mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"08+":127500}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMSD6N303R2G
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@24V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:32mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":1000,"21+":613,"22+":179,"MI+":2000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FQI4N90TU
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.13W€140W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1100pF@25V
连续漏极电流:4.2A
类型:N沟道
导通电阻:3.3Ω@2.1A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"08+":127500}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMSD6N303R2G
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@24V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:32mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS862ADN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W€39W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1235pF@30V
连续漏极电流:15.8A€52A
类型:N沟道
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":8671,"MI+":1000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP10N60NZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:185W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1475pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:750mΩ@5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":15000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8676
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€41W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1935pF@15V
连续漏极电流:16A€18A
类型:N沟道
导通电阻:5.9mΩ@14.7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS862ADN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W€39W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1235pF@30V
连续漏极电流:15.8A€52A
类型:N沟道
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H009SPS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2085pF@50V
连续漏极电流:14A€80A
类型:N沟道
导通电阻:8.5mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPW80R360P7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:84W
阈值电压:3.5V@280µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:930pF@500V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@5.6A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS7682
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€33W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1885pF@15V
连续漏极电流:16A€22A
类型:N沟道
导通电阻:6.3mΩ@14A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF840BPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:527pF@100V
连续漏极电流:8.7A
类型:N沟道
导通电阻:850mΩ@4A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存: