采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R170CFD7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：76W
阈值电压：4.5V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1199pF@400V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：170mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ097N10NS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€69W
阈值电压：3.8V@36µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2080pF@50V
连续漏极电流：8A€40A
类型：N沟道
导通电阻：9.7mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC0403NSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4.6V@91µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@75V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@35A，10
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS7680
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€33W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1850pF@15V
连续漏极电流：14A€28A
类型：N沟道
导通电阻：6.9mΩ@14A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7772DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.9W€29.8W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1084pF@15V
连续漏极电流：35.6A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：1890，"23+"：100}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPI90R1K2C3XKSA2
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：3.5V@310µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：管件
输入电容：710pF@100V
连续漏极电流：5.1A
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@2.8A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：858}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R170CFD7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：76W
阈值电压：4.5V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1199pF@400V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：170mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：63000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC7582
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€52W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1795pF@13V
连续漏极电流：16.7A€49A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@16.7A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS7680
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€33W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1850pF@15V
连续漏极电流：14A€28A
类型：N沟道
导通电阻：6.9mΩ@14A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM230N06PQ56 RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1680pF@20V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ097N10NS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€69W
阈值电压：3.8V@36µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2080pF@50V
连续漏极电流：8A€40A
类型：N沟道
导通电阻：9.7mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC098N10NS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€69W
阈值电压：3.8V@36µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@50V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：9.8mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM230N06PQ56 RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1680pF@20V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS7680
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€33W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1850pF@15V
连续漏极电流：14A€28A
类型：N沟道
导通电阻：6.9mΩ@14A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS468DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：780pF@40V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：19.5mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：9876，"11+"：4050，"12+"：4300，"14+"：28950，"15+"：1200，"16+"：118654，"17+"：29416，"9999"：299，"MI+"：10850}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDF05N50ZG
工作温度：-55℃~150℃
功率：30W
阈值电压：4.5V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：管件
输入电容：632pF@25V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@2.2A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS468DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：780pF@40V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：19.5mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：100，"22+"：500}
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP90R1K2C3XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：3.5V@310µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：管件
输入电容：710pF@100V
连续漏极电流：5.1A
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@2.8A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：1890，"23+"：100}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPI90R1K2C3XKSA2
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：3.5V@310µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：管件
输入电容：710pF@100V
连续漏极电流：5.1A
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@2.8A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA60R170CFD7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：26W
阈值电压：4.5V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1199pF@400V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：170mΩ@6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS7680
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€33W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1850pF@15V
连续漏极电流：14A€28A
类型：N沟道
导通电阻：6.9mΩ@14A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOT8N50
工作温度：-55℃~150℃
功率：192W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1042pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@4A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ097N10NS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€69W
阈值电压：3.8V@36µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2080pF@50V
连续漏极电流：8A€40A
类型：N沟道
导通电阻：9.7mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R170CFD7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：76W
阈值电压：4.5V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1199pF@400V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：170mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS406DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@15V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R170CFD7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：76W
阈值电压：4.5V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1199pF@400V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：170mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R170CFD7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：76W
阈值电压：4.5V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1199pF@400V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：170mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS406DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@15V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS7680
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€33W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1850pF@15V
连续漏极电流：14A€28A
类型：N沟道
导通电阻：6.9mΩ@14A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R170CFD7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：76W
阈值电压：4.5V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1199pF@400V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：170mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
