采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB60R125C6ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：219W
阈值电压：3.5V@960µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2127pF@100V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@14.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：4000，"23+"：34400，"MI+"：3200}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP055N65S3H
工作温度：-55℃~150℃
功率：305W
阈值电压：4V@4.8mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4305pF@400V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@23.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：4000，"23+"：34400，"MI+"：3200}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP055N65S3H
工作温度：-55℃~150℃
功率：305W
阈值电压：4V@4.8mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4305pF@400V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@23.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB60R125C6ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：219W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2127pF@100V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@14.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB60R125C6ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：219W
阈值电压：3.5V@960µA
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栅极电荷：96nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2127pF@100V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@14.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB60R125C6ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：219W
阈值电压：3.5V@960µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2127pF@100V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@14.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：4000，"23+"：34400，"MI+"：3200}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP055N65S3H
工作温度：-55℃~150℃
功率：305W
阈值电压：4V@4.8mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4305pF@400V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@23.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB60R125C6ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：219W
阈值电压：3.5V@960µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2127pF@100V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@14.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：24，"18+"：332}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP60R125C6XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：219W
阈值电压：3.5V@960µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2127pF@100V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@14.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP055N65S3H
工作温度：-55℃~150℃
功率：305W
阈值电压：4V@4.8mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4305pF@400V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@23.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB60R125C6ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：219W
阈值电压：3.5V@960µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2127pF@100V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@14.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB60R125C6ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：219W
阈值电压：3.5V@960µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2127pF@100V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@14.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：4000，"23+"：34400，"MI+"：3200}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP055N65S3H
工作温度：-55℃~150℃
功率：305W
阈值电压：4V@4.8mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4305pF@400V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@23.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：4000，"23+"：34400，"MI+"：3200}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP055N65S3H
工作温度：-55℃~150℃
功率：305W
阈值电压：4V@4.8mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4305pF@400V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@23.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP055N65S3H
工作温度：-55℃~150℃
功率：305W
阈值电压：4V@4.8mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4305pF@400V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@23.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB60R125C6ATMA1
阈值电压：3.5V@960µA
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2127pF@100V
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：125mΩ@14.5A，10V
类型：N沟道
功率：219W
漏源电压：600V
连续漏极电流：30A
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：800psc
生产批次：{"22+"：4000，"23+"：34400，"MI+"：3200}
规格型号(MPN)：NTP055N65S3H
栅极电荷：96nC@10V
导通电阻：55mΩ@23.5A，10V
阈值电压：4V@4.8mA
输入电容：4305pF@400V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
功率：305W
漏源电压：650V
连续漏极电流：47A
包装方式：管件
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR662DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4365pF@30V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：4000，"23+"：34400，"MI+"：3200}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP055N65S3H
工作温度：-55℃~150℃
功率：305W
阈值电压：4V@4.8mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4305pF@400V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@23.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR662DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4365pF@30V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT5010JLLU2
工作温度：-55℃~150℃
功率：378W
阈值电压：5V@2.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：散装
输入电容：4360pF@25V
连续漏极电流：41A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@23A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：24，"18+"：332}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP60R125C6XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：219W
阈值电压：3.5V@960µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2127pF@100V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@14.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT5010JLLU2
工作温度：-55℃~150℃
功率：378W
阈值电压：5V@2.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：散装
输入电容：4360pF@25V
连续漏极电流：41A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@23A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：190}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA60R125C6XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：34W
阈值电压：3.5V@960µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2127pF@100V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@14.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：24，"18+"：332}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP60R125C6XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：219W
阈值电压：3.5V@960µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2127pF@100V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@14.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：24，"18+"：332}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP60R125C6XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：219W
阈值电压：3.5V@960µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2127pF@100V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@14.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：24，"18+"：332}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP60R125C6XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：219W
阈值电压：3.5V@960µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2127pF@100V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@14.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：190}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA60R125C6XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：34W
阈值电压：3.5V@960µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2127pF@100V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@14.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"21+"：190}
规格型号(MPN)：IPA60R125C6XKSA1
阈值电压：3.5V@960µA
栅极电荷：96nC@10V
输入电容：2127pF@100V
工作温度：-55℃~150℃
功率：34W
导通电阻：125mΩ@14.5A，10V
类型：N沟道
包装方式：管件
漏源电压：600V
连续漏极电流：30A
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
