采购热线 400-661-9010
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：917psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6612A
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.6nC@5V
包装方式：散装
输入电容：560pF@15V
连续漏极电流：8.4A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@8.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMZ370UNEYL
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW€2.7W
阈值电压：1.05V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.16nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：78pF@25V
连续漏极电流：900mA
类型：N沟道
导通电阻：490mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ035N03LSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€69W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4400pF@15V
连续漏极电流：20A€40A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC120N03LSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€28W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@15V
连续漏极电流：12A€39A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7806ADN-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@14A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2306CX RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：555pF@15V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：57mΩ@3.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC0906NSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€30W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：870pF@15V
连续漏极电流：18A€63A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：50000，"MI+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC120N03LSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€28W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@15V
连续漏极电流：12A€39A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC655BN
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@15V
连续漏极电流：6.3A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@6.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS0310AS
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€41W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2280pF@15V
连续漏极电流：19A€22A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@19A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17581Q5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€83W
阈值电压：1.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3640pF@15V
连续漏极电流：24A€123A
类型：N沟道
导通电阻：3.4mΩ@16A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：7085，"09+"：2310，"10+"：2500，"11+"：31427}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMD4884NFR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：770mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：360pF@15V
连续漏极电流：3.3A
类型：N沟道
导通电阻：48mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8027S
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€36W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1815pF@15V
连续漏极电流：18A€22A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC042N03LSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€57W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3500pF@15V
连续漏极电流：20A€93A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB11EN，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€12.5W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：14.5mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLJF4156NTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：710mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：427pF@15V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA64DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：27.8W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3420pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：25772}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC0502NSIATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€43W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1600pF@15V
连续漏极电流：26A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C10NBT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.51W€23.6W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：987pF@15V
连续漏极电流：16.4A€46A
类型：N沟道
导通电阻：6.95mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5418DU-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€31W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：14.5mΩ@7.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：22095}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS340NWH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2V@1.6µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：41pF@15V
连续漏极电流：880mA
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@880mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：75000，"22+"：4500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS4C08NTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：820mW€25.5W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1113pF@15V
连续漏极电流：9.3A
类型：N沟道
导通电阻：5.9mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：117781，"12+"：4500，"13+"：3000，"14+"：34260}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4943NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：910mW€22.3W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1401pF@15V
连续漏极电流：8.3A€41A
类型：N沟道
导通电阻：7.2mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：59502}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4917NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：880mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1054pF@25V
连续漏极电流：7.1A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS0310AS
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€41W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2280pF@15V
连续漏极电流：19A€22A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@19A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFH8325TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W€54W
阈值电压：2.35V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2487pF@10V
连续漏极电流：21A€82A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17577Q3AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W€53W
阈值电压：1.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2310pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@16A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA400EDJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：19.2W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1265pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@11A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA462DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON7528
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.2W€83W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2895pF@15V
连续漏极电流：45A€50A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
