采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2318DS-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@20V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@3.9A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSQ030N08HZGTR
工作温度：-55℃~150℃
功率：950mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.5nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：131mΩ@3A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：25500，"18+"：25357，"19+"：27000，"9999"：1465，"MI+"：1500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPS80R2K0P7AKMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：24W
阈值电压：3.5V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：管件
输入电容：175pF@500V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@940mA，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G1003A
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：622pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：210mΩ@3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7898DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@3.5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：1246，"13+"：9250，"14+"：68500，"17+"：74065}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDD04N50ZT4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：61W
阈值电压：4.5V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：308pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：2.7Ω@1.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7898DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@3.5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6070SFCL-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：606pF@20V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@1.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6070SFCL-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：606pF@20V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@1.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：9000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMG45UN，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：375mW€4.35W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：184pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC3512
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：634pF@40V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：77mΩ@3A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：180000，"22+"：186000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB85ENEAX
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W€15.6W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：305pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：95mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC3512
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：634pF@40V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：77mΩ@3A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2302-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：237pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：72mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2302-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：237pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：72mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2302-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：237pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：72mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7898DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@3.5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2318DS-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@20V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@3.9A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB85ENEAX
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W€15.6W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：305pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：95mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2302A-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：237pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：72mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV90ENER
工作温度：-55℃~150℃
功率：460mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：160pF@15V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：72mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN339AN
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2302A-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：237pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：72mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM850N06CX RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：529pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@2.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN339AN
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV90ENER
工作温度：-55℃~150℃
功率：460mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：160pF@15V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：72mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2310-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：247pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@3A，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2318DS-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@20V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@3.9A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：180000，"22+"：186000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB85ENEAX
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W€15.6W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：305pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：95mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2318DS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@20V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@3.9A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
