品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFX24N100Q3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1000W
阈值电压:6.5V@4mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7200pF@25V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:440mΩ@12A,10V
漏源电压:1000V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):750psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPDQ60R022S7XTMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:416W
阈值电压:4.5V@1.44mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:150nC@12V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5639pF@300V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@23A,12V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB24N65EFT1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:122nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2774pF@100V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:156mΩ@12A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB65R095C7ATMA2
工作温度:-55℃~150℃
功率:128W
阈值电压:4V@590µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2140pF@400V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:95mΩ@11.8A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":154}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTB150N65S3HF
工作温度:-55℃~150℃
功率:192W
阈值电压:5V@540µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1985pF@400V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@12A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB65R095C7ATMA2
工作温度:-55℃~150℃
功率:128W
阈值电压:4V@590µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2140pF@400V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:95mΩ@11.8A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB65R095C7ATMA2
工作温度:-55℃~150℃
功率:128W
阈值电压:4V@590µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2140pF@400V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:95mΩ@11.8A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT24F50B
工作温度:-55℃~150℃
功率:335W
阈值电压:5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3630pF@25V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:240mΩ@11A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6266E
工作温度:-55℃~150℃
功率:26W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:755pF@30V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:13.2mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPT65R105G7XTMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:4V@440µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1670pF@400V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:105mΩ@8.9A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTP24N65X2
工作温度:-55℃~150℃
功率:390W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2060pF@25V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:145mΩ@12A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPT65R105G7XTMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:4V@440µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1670pF@400V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:105mΩ@8.9A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):750psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPDQ60R022S7XTMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:416W
阈值电压:4.5V@1.44mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:150nC@12V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5639pF@300V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@23A,12V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":1090,"16+":200,"19+":621,"22+":267}
包装规格(MPQ):240psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPZ65R095C7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:128W
阈值电压:4V@590µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2140pF@400V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:95mΩ@11.8A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4156DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€6W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1700pF@15V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@15.7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF8788TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.35V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:66nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5720pF@15V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@24A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB24N65EFT1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:122nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2774pF@100V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:156mΩ@12A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF8788TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.35V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:66nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5720pF@15V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@24A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPT65R105G7XTMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:4V@440µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1670pF@400V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:105mΩ@8.9A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":1675,"23+":12658}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMT125N65S3H
工作温度:-55℃~150℃
功率:171W
阈值电压:4V@2.1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@400V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@12A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":420,"23+":2787}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH150N65F-F155
工作温度:-55℃~150℃
功率:298W
阈值电压:5V@2.4mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:94nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3737pF@100V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@12A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDA24N50F
工作温度:-55℃~150℃
功率:270W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4310pF@25V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:200mΩ@12A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6266E
工作温度:-55℃~150℃
功率:26W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:755pF@30V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:13.2mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC500N20NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:96W
阈值电压:4V@60µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1580pF@100V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@22A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB24N65EFT1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:122nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2774pF@100V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:156mΩ@12A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6024KNX
工作温度:-55℃~150℃
功率:74W
阈值电压:5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:散装
输入电容:2000pF@25V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@11.3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":1192}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC500N20NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:96W
阈值电压:4V@60µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1580pF@100V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@22A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6266E
工作温度:-55℃~150℃
功率:26W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:755pF@30V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:13.2mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6266E
工作温度:-55℃~150℃
功率:26W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:755pF@30V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:13.2mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC500N20NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:96W
阈值电压:4V@60µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1580pF@100V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@22A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存: