采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB60R060P7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：164W
阈值电压：4V@800µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2895pF@400V
连续漏极电流：48A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@15.9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17551Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1272pF@15V
连续漏极电流：48A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHK045N60E-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：278W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：98nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4013pF@100V
连续漏极电流：48A
类型：N沟道
导通电阻：49mΩ@17A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17551Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1272pF@15V
连续漏极电流：48A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17551Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1272pF@15V
连续漏极电流：48A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHK045N60E-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：278W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：98nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4013pF@100V
连续漏极电流：48A
类型：N沟道
导通电阻：49mΩ@17A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHK045N60E-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：278W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：98nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4013pF@100V
连续漏极电流：48A
类型：N沟道
导通电阻：49mΩ@17A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17551Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1272pF@15V
连续漏极电流：48A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17551Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1272pF@15V
连续漏极电流：48A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW60R060P7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：164W
阈值电压：4V@800µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2895pF@400V
连续漏极电流：48A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@15.9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB60R060P7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：164W
阈值电压：4V@800µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2895pF@400V
连续漏极电流：48A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@15.9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17551Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1272pF@15V
连续漏极电流：48A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17551Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1272pF@15V
连续漏极电流：48A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP052N60EF-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：278W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：101nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3380pF@100V
连续漏极电流：48A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@23A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT30M70BVRG
工作温度：-55℃~150℃
功率：370W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：225nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5870pF@25V
连续漏极电流：48A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@500mA，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHK045N60E-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：278W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：98nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4013pF@100V
连续漏极电流：48A
类型：N沟道
导通电阻：49mΩ@17A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17551Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1272pF@15V
连续漏极电流：48A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA60R060P7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：29W
阈值电压：4V@800µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2895pF@400V
连续漏极电流：48A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@15.9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHK045N60E-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：278W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：98nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4013pF@100V
连续漏极电流：48A
类型：N沟道
导通电阻：49mΩ@17A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB60R060P7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：164W
阈值电压：4V@800µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2895pF@400V
连续漏极电流：48A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@15.9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17551Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1272pF@15V
连续漏极电流：48A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB60R060P7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：164W
阈值电压：4V@800µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2895pF@400V
连续漏极电流：48A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@15.9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA60R060P7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：29W
阈值电压：4V@800µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2895pF@400V
连续漏极电流：48A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@15.9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW60R060P7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：164W
阈值电压：4V@800µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2895pF@400V
连续漏极电流：48A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@15.9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB60R060P7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：164W
阈值电压：4V@800µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2895pF@400V
连续漏极电流：48A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@15.9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB60R060P7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：164W
阈值电压：4V@800µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2895pF@400V
连续漏极电流：48A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@15.9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB60R060P7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：164W
阈值电压：4V@800µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2895pF@400V
连续漏极电流：48A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@15.9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17551Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1272pF@15V
连续漏极电流：48A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17551Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1272pF@15V
连续漏极电流：48A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB60R060P7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：164W
阈值电压：4V@800µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2895pF@400V
连续漏极电流：48A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@15.9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
