品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:1.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:27pF@25V
连续漏极电流:220mA
类型:N沟道
导通电阻:3.5Ω@220mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@25V
连续漏极电流:220mA
类型:N沟道
导通电阻:3.5Ω@220mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN31D5UFZ-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:393mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.35nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:22.2pF@15V
连续漏极电流:220mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@100mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:1.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:27pF@25V
连续漏极电流:220mA
类型:N沟道
导通电阻:3.5Ω@220mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN31D5UFZ-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:393mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.35nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:22.2pF@15V
连续漏极电流:220mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@100mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN31D5UFZ-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:393mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.35nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:22.2pF@15V
连续漏极电流:220mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@100mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN31D5UFZ-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:393mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.35nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:22.2pF@15V
连续漏极电流:220mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@100mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@25V
连续漏极电流:220mA
类型:N沟道
导通电阻:3.5Ω@220mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:1.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:27pF@25V
连续漏极电流:220mA
类型:N沟道
导通电阻:3.5Ω@220mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN31D5UFZ-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:393mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.35nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:22.2pF@15V
连续漏极电流:220mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@100mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:1.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:27pF@25V
连续漏极电流:220mA
类型:N沟道
导通电阻:3.5Ω@220mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@25V
连续漏极电流:220mA
类型:N沟道
导通电阻:3.5Ω@220mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:1.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:27pF@25V
连续漏极电流:220mA
类型:N沟道
导通电阻:3.5Ω@220mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN31D5UFZ-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:393mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.35nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:22.2pF@15V
连续漏极电流:220mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@100mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN31D5UFZ-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:393mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.35nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:22.2pF@15V
连续漏极电流:220mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@100mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@25V
连续漏极电流:220mA
类型:N沟道
导通电阻:3.5Ω@220mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:1.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:27pF@25V
连续漏极电流:220mA
类型:N沟道
导通电阻:3.5Ω@220mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN31D5UFZ-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:393mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.35nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:22.2pF@15V
连续漏极电流:220mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@100mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN31D5UFZ-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:393mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.35nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:22.2pF@15V
连续漏极电流:220mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@100mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN31D5UFZ-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:393mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.35nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:22.2pF@15V
连续漏极电流:220mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@100mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN31D5UFZ-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:393mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.35nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:22.2pF@15V
连续漏极电流:220mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@100mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:1.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:27pF@25V
连续漏极电流:220mA
类型:N沟道
导通电阻:3.5Ω@220mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN31D5UFZ-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:393mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.35nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:22.2pF@15V
连续漏极电流:220mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@100mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:1.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:27pF@25V
连续漏极电流:220mA
类型:N沟道
导通电阻:3.5Ω@220mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN31D5UFZ-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:393mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.35nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:22.2pF@15V
连续漏极电流:220mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@100mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN31D5UFZ-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:393mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.35nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:22.2pF@15V
连续漏极电流:220mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@100mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@25V
连续漏极电流:220mA
类型:N沟道
导通电阻:3.5Ω@220mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@25V
连续漏极电流:220mA
类型:N沟道
导通电阻:3.5Ω@220mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN31D5UFZ-7B
栅极电荷:0.35nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
连续漏极电流:220mA
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:22.2pF@15V
类型:N沟道
功率:393mW
导通电阻:1.5Ω@100mA,4.5V
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138-G
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:220mA
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
输入电容:27pF@25V
漏源电压:50V
类型:N沟道
栅极电荷:2.4nC@10V
导通电阻:3.5Ω@220mA,10V
阈值电压:1.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存: