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    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA64DP-T1-RE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA64DP-T1-RE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA64DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:27.8W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3420pF@15V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.1mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG70N60AEF-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG70N60AEF-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHG70N60AEF-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:417W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:410nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5348pF@100V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:41mΩ@35A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR882ADP-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR882ADP-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR882ADP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.4W€83W

    阈值电压:2.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1975pF@50V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.7mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17581Q3AT 起订250个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17581Q3AT 起订250个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17581Q3AT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.8W€63W

    阈值电压:1.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:54nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3640pF@15V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.8mΩ@16A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR846ADP-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR846ADP-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR846ADP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.4W€83W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:66nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2350pF@50V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT3006LFVQ-7 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT3006LFVQ-7 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT3006LFVQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1155pF@15V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR846DP-T1-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR846DP-T1-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR846DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:72nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2870pF@50V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXTH60N20L2 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXTH60N20L2 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTH60N20L2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:540W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:255nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:10500pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:45mΩ@30A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA72DP-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA72DP-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA72DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:56.8W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3240pF@20V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR826DP-T1-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR826DP-T1-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR826DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:2.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:90nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2900pF@40V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR696DP-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR696DP-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR696DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:104W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1410pF@75V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:125V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR696DP-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR696DP-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR696DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:104W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1410pF@75V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:125V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS28DN-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS28DN-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS28DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:57W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3640pF@10V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.52mΩ@15A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR688DP-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR688DP-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR688DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.4W€83W

    阈值电压:2.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:66nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3105pF@30V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR404DP-T1-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR404DP-T1-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR404DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:97nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8130pF@10V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR846DP-T1-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR846DP-T1-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR846DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:72nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2870pF@50V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS10DN-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS10DN-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS10DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:57W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:75nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3750pF@20V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.65mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 MCU60N04A-TP 起订3个装
    MCC Mosfet场效应管 MCU60N04A-TP 起订3个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MCU60N04A-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:70W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1650pF@20V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC008N08C 起订167个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC008N08C 起订167个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":1590,"22+":6000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC008N08C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:57W

    阈值电压:4V@120µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2150pF@40V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.8mΩ@21A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD60N03-001 起订916个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD60N03-001 起订916个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"03+":140,"04+":29100}

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD60N03-001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:75W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:2150pF@24V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@30A,10V

    漏源电压:28V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17577Q5A 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17577Q5A 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17577Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W€53W

    阈值电压:1.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2310pF@15V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@18A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR882DP-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR882DP-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR882DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.4W€83W

    阈值电压:2.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:58nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1930pF@50V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.7mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17575Q3T 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17575Q3T 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17575Q3T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.8W€108W

    阈值电压:1.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4420pF@15V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.3mΩ@25A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR880ADP-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR880ADP-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR880ADP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.4W€83W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:72nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2289pF@40V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.3mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7174DP-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7174DP-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7174DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:72nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2770pF@40V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@10A,10V

    漏源电压:75V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SISS28DN-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS28DN-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS28DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:57W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3640pF@10V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.52mΩ@15A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA58DP-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA58DP-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA58DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:27.7W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:75nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3750pF@20V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.65mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPW60R045CPFKSA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPW60R045CPFKSA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPW60R045CPFKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:431W

    阈值电压:3.5V@3mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:190nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:6800pF@100V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:45mΩ@44A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR882DP-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR882DP-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR882DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.4W€83W

    阈值电压:2.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:58nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1930pF@50V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.7mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR440DP-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR440DP-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR440DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:150nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6000pF@10V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.55mΩ@20A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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