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    栅极电荷
    行业应用
    漏源电压
    连续漏极电流
    类型: N沟道
    ECCN: EAR99
    工作温度: 150℃
    栅极电荷: 15nC@10V
    当前匹配商品:60+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
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    ROHM Mosfet场效应管 R6004END3TL1 起订2500个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6004END3TL1 起订2500个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6004END3TL1

    工作温度:150℃

    功率:59W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:250pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:980mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK7P60W,RVQ 起订2个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK7P60W,RVQ 起订2个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK7P60W,RVQ

    工作温度:150℃

    功率:60W

    阈值电压:3.7V@350µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:490pF@300V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6004END3TL1 起订10个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6004END3TL1 起订10个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6004END3TL1

    工作温度:150℃

    功率:59W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:250pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:980mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK7P65W,RQ 起订100个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK7P65W,RQ 起订100个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK7P65W,RQ

    工作温度:150℃

    功率:60W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:490pF@300V

    连续漏极电流:6.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:800mΩ@3.4A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RS1G150MNTB 起订500个装
    ROHM Mosfet场效应管 RS1G150MNTB 起订500个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RS1G150MNTB

    工作温度:150℃

    功率:3W€25W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:930pF@20V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.6mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6004END3TL1 起订500个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6004END3TL1 起订500个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6004END3TL1

    工作温度:150℃

    功率:59W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:250pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:980mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK7P60W,RVQ 起订10个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK7P60W,RVQ 起订10个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK7P60W,RVQ

    工作温度:150℃

    功率:60W

    阈值电压:3.7V@350µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:490pF@300V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK7P65W,RQ 起订10个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK7P65W,RQ 起订10个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK7P65W,RQ

    工作温度:150℃

    功率:60W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:490pF@300V

    连续漏极电流:6.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:800mΩ@3.4A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6004END3TL1 起订500个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6004END3TL1 起订500个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6004END3TL1

    工作温度:150℃

    功率:59W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:250pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:980mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RS1G150MNTB 起订10个装
    ROHM Mosfet场效应管 RS1G150MNTB 起订10个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RS1G150MNTB

    工作温度:150℃

    功率:3W€25W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:930pF@20V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.6mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK7P60W,RVQ 起订100个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK7P60W,RVQ 起订100个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK7P60W,RVQ

    工作温度:150℃

    功率:60W

    阈值电压:3.7V@350µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:490pF@300V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK7A60W,S4VX 起订1个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK7A60W,S4VX 起订1个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK7A60W,S4VX

    工作温度:150℃

    功率:30W

    阈值电压:3.7V@350µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:490pF@300V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK7P60W,RVQ 起订2个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK7P60W,RVQ 起订2个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK7P60W,RVQ

    工作温度:150℃

    功率:60W

    阈值电压:3.7V@350µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:490pF@300V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6004END3TL1 起订2个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6004END3TL1 起订2个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6004END3TL1

    工作温度:150℃

    功率:59W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:250pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:980mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RS1G150MNTB 起订3个装
    ROHM Mosfet场效应管 RS1G150MNTB 起订3个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RS1G150MNTB

    工作温度:150℃

    功率:3W€25W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:930pF@20V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.6mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RS1G150MNTB 起订3个装
    ROHM Mosfet场效应管 RS1G150MNTB 起订3个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RS1G150MNTB

    工作温度:150℃

    功率:3W€25W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:930pF@20V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.6mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RCX080N25 起订2个装
    ROHM Mosfet场效应管 RCX080N25 起订2个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):RCX080N25

    工作温度:150℃

    功率:2.23W€35W

    阈值电压:5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:840pF@25V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@4A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 EMH1405-TL-H 起订1457个装
    onsemi Mosfet场效应管 EMH1405-TL-H 起订1457个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"14+":6000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):EMH1405-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:1.5W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:820pF@10V

    连续漏极电流:8.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:19mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6004END3TL1 起订2个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6004END3TL1 起订2个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6004END3TL1

    工作温度:150℃

    功率:59W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:250pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:980mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK7P65W,RQ 起订100个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK7P65W,RQ 起订100个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK7P65W,RQ

    工作温度:150℃

    功率:60W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:490pF@300V

    连续漏极电流:6.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:800mΩ@3.4A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK7P60W,RVQ 起订500个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK7P60W,RVQ 起订500个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK7P60W,RVQ

    工作温度:150℃

    功率:60W

    阈值电压:3.7V@350µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:490pF@300V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK7P60W,RVQ 起订10个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK7P60W,RVQ 起订10个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK7P60W,RVQ

    工作温度:150℃

    功率:60W

    阈值电压:3.7V@350µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:490pF@300V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RCX080N25 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 RCX080N25 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):RCX080N25

    工作温度:150℃

    功率:2.23W€35W

    阈值电压:5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:840pF@25V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@4A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RS1G150MNTB 起订1000个装
    ROHM Mosfet场效应管 RS1G150MNTB 起订1000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RS1G150MNTB

    工作温度:150℃

    功率:3W€25W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:930pF@20V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.6mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RS1G150MNTB 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 RS1G150MNTB 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RS1G150MNTB

    工作温度:150℃

    功率:3W€25W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:930pF@20V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.6mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RS1G150MNTB 起订500个装
    ROHM Mosfet场效应管 RS1G150MNTB 起订500个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RS1G150MNTB

    工作温度:150℃

    功率:3W€25W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:930pF@20V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.6mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RCX080N25 起订500个装
    ROHM Mosfet场效应管 RCX080N25 起订500个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):RCX080N25

    工作温度:150℃

    功率:2.23W€35W

    阈值电压:5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:840pF@25V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@4A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RS1G150MNTB 起订1000个装
    ROHM Mosfet场效应管 RS1G150MNTB 起订1000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RS1G150MNTB

    工作温度:150℃

    功率:3W€25W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:930pF@20V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.6mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK7P65W,RQ 起订10个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK7P65W,RQ 起订10个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK7P65W,RQ

    工作温度:150℃

    功率:60W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:490pF@300V

    连续漏极电流:6.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:800mΩ@3.4A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6004END3TL1 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6004END3TL1 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6004END3TL1

    工作温度:150℃

    功率:59W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:250pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:980mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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