品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6004END3TL1
工作温度:150℃
功率:59W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:980mΩ@1.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK7P60W,RVQ
工作温度:150℃
功率:60W
阈值电压:3.7V@350µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:490pF@300V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6004END3TL1
工作温度:150℃
功率:59W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:980mΩ@1.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK7P65W,RQ
工作温度:150℃
功率:60W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:490pF@300V
连续漏极电流:6.8A
类型:N沟道
导通电阻:800mΩ@3.4A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS1G150MNTB
工作温度:150℃
功率:3W€25W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:930pF@20V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:10.6mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6004END3TL1
工作温度:150℃
功率:59W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:980mΩ@1.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK7P60W,RVQ
工作温度:150℃
功率:60W
阈值电压:3.7V@350µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:490pF@300V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK7P65W,RQ
工作温度:150℃
功率:60W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:490pF@300V
连续漏极电流:6.8A
类型:N沟道
导通电阻:800mΩ@3.4A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6004END3TL1
工作温度:150℃
功率:59W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:980mΩ@1.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS1G150MNTB
工作温度:150℃
功率:3W€25W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:930pF@20V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:10.6mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK7P60W,RVQ
工作温度:150℃
功率:60W
阈值电压:3.7V@350µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:490pF@300V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK7A60W,S4VX
工作温度:150℃
功率:30W
阈值电压:3.7V@350µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:管件
输入电容:490pF@300V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK7P60W,RVQ
工作温度:150℃
功率:60W
阈值电压:3.7V@350µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:490pF@300V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6004END3TL1
工作温度:150℃
功率:59W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:980mΩ@1.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS1G150MNTB
工作温度:150℃
功率:3W€25W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:930pF@20V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:10.6mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS1G150MNTB
工作温度:150℃
功率:3W€25W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:930pF@20V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:10.6mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):RCX080N25
工作温度:150℃
功率:2.23W€35W
阈值电压:5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:散装
输入电容:840pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@4A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":6000}
销售单位:个
规格型号(MPN):EMH1405-TL-H
工作温度:150℃
功率:1.5W
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:820pF@10V
连续漏极电流:8.5A
类型:N沟道
导通电阻:19mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6004END3TL1
工作温度:150℃
功率:59W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:980mΩ@1.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK7P65W,RQ
工作温度:150℃
功率:60W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:490pF@300V
连续漏极电流:6.8A
类型:N沟道
导通电阻:800mΩ@3.4A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK7P60W,RVQ
工作温度:150℃
功率:60W
阈值电压:3.7V@350µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:490pF@300V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK7P60W,RVQ
工作温度:150℃
功率:60W
阈值电压:3.7V@350µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:490pF@300V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):RCX080N25
工作温度:150℃
功率:2.23W€35W
阈值电压:5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:散装
输入电容:840pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@4A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS1G150MNTB
工作温度:150℃
功率:3W€25W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:930pF@20V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:10.6mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS1G150MNTB
工作温度:150℃
功率:3W€25W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:930pF@20V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:10.6mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS1G150MNTB
工作温度:150℃
功率:3W€25W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:930pF@20V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:10.6mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):RCX080N25
工作温度:150℃
功率:2.23W€35W
阈值电压:5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:散装
输入电容:840pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@4A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS1G150MNTB
工作温度:150℃
功率:3W€25W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:930pF@20V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:10.6mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK7P65W,RQ
工作温度:150℃
功率:60W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:490pF@300V
连续漏极电流:6.8A
类型:N沟道
导通电阻:800mΩ@3.4A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6004END3TL1
工作温度:150℃
功率:59W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:980mΩ@1.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存: