品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6024KNXC7G
工作温度:150℃
功率:74W
阈值电压:5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2000pF@25V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@11.3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3E150BNTB
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3000pF@15V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:5.3mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3E150BNTB
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3000pF@15V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:5.3mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":5107}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK6014DPP-E0#T2
工作温度:150℃
功率:35W
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1800pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:575mΩ@8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":5107}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK6014DPP-E0#T2
工作温度:150℃
功率:35W
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1800pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:575mΩ@8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6024KNXC7G
工作温度:150℃
功率:74W
阈值电压:5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2000pF@25V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@11.3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3E150BNTB
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3000pF@15V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:5.3mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3E150BNTB
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3000pF@15V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:5.3mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3E150BNTB
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3000pF@15V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:5.3mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3E150BNTB
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3000pF@15V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:5.3mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3E150BNTB
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3000pF@15V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:5.3mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3E150BNTB
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3000pF@15V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:5.3mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK17A65W,S5X
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:3.5V@900µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1800pF@300V
连续漏极电流:17.3A
类型:N沟道
导通电阻:200mΩ@8.7A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3E150BNTB
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
栅极电荷:45nC@10V
工作温度:150℃
类型:N沟道
导通电阻:5.3mΩ@15A,10V
阈值电压:2.5V@1mA
输入电容:3000pF@15V
连续漏极电流:15A
ECCN:EAR99
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3E150BNTB
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
栅极电荷:45nC@10V
工作温度:150℃
类型:N沟道
导通电阻:5.3mΩ@15A,10V
阈值电压:2.5V@1mA
输入电容:3000pF@15V
连续漏极电流:15A
ECCN:EAR99
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3E150BNTB
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3000pF@15V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:5.3mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6024KNXC7G
工作温度:150℃
功率:74W
阈值电压:5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2000pF@25V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@11.3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":5107}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK6014DPP-E0#T2
工作温度:150℃
功率:35W
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1800pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:575mΩ@8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":5107}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK6014DPP-E0#T2
工作温度:150℃
功率:35W
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1800pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:575mΩ@8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK17A65W,S5X
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:3.5V@900µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1800pF@300V
连续漏极电流:17.3A
类型:N沟道
导通电阻:200mΩ@8.7A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":5107}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK6014DPP-E0#T2
工作温度:150℃
功率:35W
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1800pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:575mΩ@8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":5107}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK6014DPP-E0#T2
工作温度:150℃
功率:35W
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1800pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:575mΩ@8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存: