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    行业应用
    类型: N沟道
    ECCN: EAR99
    工作温度: 150℃
    包装方式: 管件
    当前匹配商品:400+
    商品信息
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    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK65E10N1,S1X 起订1个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK65E10N1,S1X 起订1个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK65E10N1,S1X

    工作温度:150℃

    功率:192W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:81nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5400pF@50V

    连续漏极电流:148A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.8mΩ@32.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK10J80E,S1E 起订1个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK10J80E,S1E 起订1个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK10J80E,S1E

    工作温度:150℃

    功率:250W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:46nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2000pF@25V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:1Ω@5A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 2SK4099LS-1E 起订144个装
    onsemi Mosfet场效应管 2SK4099LS-1E 起订144个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"15+":200,"16+":50,"MI+":1000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):2SK4099LS-1E

    工作温度:150℃

    功率:2W€35W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:750pF@30V

    连续漏极电流:6.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:940mΩ@4A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK62N60W,S1VF 起订1个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK62N60W,S1VF 起订1个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK62N60W,S1VF

    工作温度:150℃

    功率:400W

    阈值电压:3.7V@3.1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:180nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:6500pF@300V

    连续漏极电流:61.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:40mΩ@30.9A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK16E60W,S1VX 起订1个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK16E60W,S1VX 起订1个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK16E60W,S1VX

    工作温度:150℃

    功率:130W

    阈值电压:3.7V@790µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1350pF@300V

    连续漏极电流:15.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:190mΩ@7.9A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK30E06N1,S1X 起订2个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK30E06N1,S1X 起订2个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK30E06N1,S1X

    工作温度:150℃

    功率:53W

    阈值电压:4V@200µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1050pF@30V

    连续漏极电流:43A

    类型:N沟道

    导通电阻:15mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK5013DPP-E0#T2 起订74个装
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK5013DPP-E0#T2 起订74个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":17001}

    包装规格(MPQ):1psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):RJK5013DPP-E0#T2

    工作温度:150℃

    功率:30W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1450pF@25V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:465mΩ@7A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK40A06N1,S4X 起订2个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK40A06N1,S4X 起订2个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK40A06N1,S4X

    工作温度:150℃

    功率:30W

    阈值电压:4V@300µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1700pF@30V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.4mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDUL09N150CG 起订60个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDUL09N150CG 起订60个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":30,"22+":60}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDUL09N150CG

    工作温度:150℃

    功率:3W€78W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:114nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2025pF@30V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@3A,10V

    漏源电压:1500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 2SK3707-1E 起订573个装
    onsemi Mosfet场效应管 2SK3707-1E 起订573个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"13+":721}

    销售单位:

    规格型号(MPN):2SK3707-1E

    工作温度:150℃

    功率:2W€25W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2150pF@20V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:60mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6024KNXC7G 起订50个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6024KNXC7G 起订50个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6024KNXC7G

    工作温度:150℃

    功率:74W

    阈值电压:5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:45nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2000pF@25V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:165mΩ@11.3A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK5014DPP-E0#T2 起订67个装
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK5014DPP-E0#T2 起订67个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"14+":4000,"19+":8236}

    销售单位:

    规格型号(MPN):RJK5014DPP-E0#T2

    工作温度:150℃

    功率:35W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:46nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1800pF@25V

    连续漏极电流:19A

    类型:N沟道

    导通电阻:390mΩ@9.5A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK0601DPN-E0#T2 起订500个装
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK0601DPN-E0#T2 起订500个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"16+":589,"17+":606,"18+":445}

    销售单位:

    规格型号(MPN):RJK0601DPN-E0#T2

    工作温度:150℃

    功率:200W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:141nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:10000pF@10V

    连续漏极电流:110A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.1mΩ@55A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 2SK4198FS 起订526个装
    onsemi Mosfet场效应管 2SK4198FS 起订526个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"10+":54340,"15+":11,"16+":349,"9999":600,"MI+":1000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):2SK4198FS

    工作温度:150℃

    功率:2W€30W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14.3nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:360pF@30V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.34Ω@2.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 2SK4087LS-1E 起订106个装
    onsemi Mosfet场效应管 2SK4087LS-1E 起订106个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"16+":9700,"9999":206,"MI+":1000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):2SK4087LS-1E

    工作温度:150℃

    功率:2W€40W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:46nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1200pF@30V

    连续漏极电流:9.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:610mΩ@7A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK040N65Z,S1F 起订30个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK040N65Z,S1F 起订30个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK040N65Z,S1F

    工作温度:150℃

    功率:360W

    阈值电压:4V@2.85mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:105nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:6250pF@300V

    连续漏极电流:57A

    类型:N沟道

    导通电阻:40mΩ@28.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK0603DPN-E0#T2 起订500个装
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK0603DPN-E0#T2 起订500个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"13+":4000,"18+":2333}

    销售单位:

    规格型号(MPN):RJK0603DPN-E0#T2

    工作温度:150℃

    功率:125W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:57nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4150pF@10V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.2mΩ@40A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 2SK4198FS 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 2SK4198FS 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"10+":54340,"15+":11,"16+":349,"9999":600,"MI+":1000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):2SK4198FS

    工作温度:150℃

    功率:2W€30W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14.3nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:360pF@30V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.34Ω@2.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK65E10N1,S1X 起订1000个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK65E10N1,S1X 起订1000个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK65E10N1,S1X

    工作温度:150℃

    功率:192W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:81nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5400pF@50V

    连续漏极电流:148A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.8mΩ@32.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 2SK4087LS-1E 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 2SK4087LS-1E 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"16+":9700,"9999":206,"MI+":1000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):2SK4087LS-1E

    工作温度:150℃

    功率:2W€40W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:46nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1200pF@30V

    连续漏极电流:9.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:610mΩ@7A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDTL03N150CG 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDTL03N150CG 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":17100,"23+":810,"MI+":540}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDTL03N150CG

    工作温度:150℃

    功率:2.5W€140W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:650pF@30V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.5Ω@1.25A,10V

    漏源电压:1500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDTL03N150CG 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDTL03N150CG 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":30,"23+":1800}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDTL03N150CG

    工作温度:150℃

    功率:2.5W€140W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:650pF@30V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.5Ω@1.25A,10V

    漏源电压:1500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6011ENXC7G 起订50个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6011ENXC7G 起订50个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6011ENXC7G

    工作温度:150℃

    功率:53W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:670pF@25V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:390mΩ@3.8A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK39N60W5,S1VF 起订30个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK39N60W5,S1VF 起订30个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK39N60W5,S1VF

    工作温度:150℃

    功率:270W

    阈值电压:4.5V@1.9mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:135nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4100pF@300V

    连续漏极电流:38.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:74mΩ@19.4A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK6013DPP-E0#T2 起订1000个装
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK6013DPP-E0#T2 起订1000个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":1877}

    销售单位:

    规格型号(MPN):RJK6013DPP-E0#T2

    工作温度:150℃

    功率:30W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:37.5nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1450pF@25V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:700mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK6013DPP-E0#T2 起订500个装
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK6013DPP-E0#T2 起订500个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":1877}

    销售单位:

    规格型号(MPN):RJK6013DPP-E0#T2

    工作温度:150℃

    功率:30W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:37.5nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1450pF@25V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:700mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 2SK4087LS-1E 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 2SK4087LS-1E 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"16+":9700,"9999":206,"MI+":1000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):2SK4087LS-1E

    工作温度:150℃

    功率:2W€40W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:46nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1200pF@30V

    连续漏极电流:9.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:610mΩ@7A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK5013DPP-E0#T2 起订1000个装
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK5013DPP-E0#T2 起订1000个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":17001}

    包装规格(MPQ):1psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):RJK5013DPP-E0#T2

    工作温度:150℃

    功率:30W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1450pF@25V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:465mΩ@7A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK17A80W,S4X 起订50个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK17A80W,S4X 起订50个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK17A80W,S4X

    工作温度:150℃

    功率:45W

    阈值电压:4V@850µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2050pF@300V

    连续漏极电流:17A

    类型:N沟道

    导通电阻:290mΩ@8.5A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK22E10N1,S1X 起订50个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK22E10N1,S1X 起订50个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK22E10N1,S1X

    工作温度:150℃

    功率:72W

    阈值电压:4V@300µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1800pF@50V

    连续漏极电流:52A

    类型:N沟道

    导通电阻:13.8mΩ@11A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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