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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK10J80E，S1E
工作温度：150℃
功率：250W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2000pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8005ANJFRGTL
工作温度：150℃
功率：120W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：2.1Ω@2.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8001CND3FRATL
工作温度：150℃
功率：36W
阈值电压：5.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：8.7Ω@500mA，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK17A80W，S4X
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@850µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2050pF@300V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：290mΩ@8.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8002ANJFRGTL
工作温度：150℃
功率：62W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.3Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8005ANX
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：散装
输入电容：485pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：2.08Ω@2.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8002ANJFRGTL
工作温度：150℃
功率：62W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.3Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8002CND3FRATL
工作温度：150℃
功率：69W
阈值电压：5.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：240pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.3Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8002ANJFRGTL
工作温度：150℃
功率：62W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.3Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8005ANJFRGTL
工作温度：150℃
功率：120W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：2.1Ω@2.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK17A80W，S4X
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@850µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2050pF@300V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：290mΩ@8.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8005ANJFRGTL
工作温度：150℃
功率：120W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：2.1Ω@2.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8002ANJFRGTL
工作温度：150℃
功率：62W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.3Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8001CND3FRATL
工作温度：150℃
功率：36W
阈值电压：5.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：8.7Ω@500mA，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8001CND3FRATL
工作温度：150℃
功率：36W
阈值电压：5.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：8.7Ω@500mA，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8001CND3FRATL
工作温度：150℃
功率：36W
阈值电压：5.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：8.7Ω@500mA，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8002ANJFRGTL
工作温度：150℃
功率：62W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.3Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8005ANJFRGTL
工作温度：150℃
功率：120W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：2.1Ω@2.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8002CND3FRATL
工作温度：150℃
功率：69W
阈值电压：5.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：240pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.3Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8001CND3FRATL
工作温度：150℃
功率：36W
阈值电压：5.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：8.7Ω@500mA，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8005ANJFRGTL
工作温度：150℃
功率：120W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：2.1Ω@2.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8005ANJFRGTL
工作温度：150℃
功率：120W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：2.1Ω@2.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8005ANX
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：散装
输入电容：485pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：2.08Ω@2.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8001CND3FRATL
工作温度：150℃
功率：36W
阈值电压：5.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：8.7Ω@500mA，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8002CND3FRATL
工作温度：150℃
功率：69W
阈值电压：5.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：240pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.3Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK6A80E，S4X
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@600µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1350pF@25V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：1.7Ω@3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8002CND3FRATL
工作温度：150℃
功率：69W
阈值电压：5.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：240pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.3Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8002ANJFRGTL
工作温度：150℃
功率：62W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.3Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK4A80E，S4X
工作温度：150℃
功率：35W
阈值电压：4V@400µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：650pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：3.5Ω@2A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8005ANJFRGTL
工作温度：150℃
功率：120W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：2.1Ω@2.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
