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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK2P90E，RQ
工作温度：150℃
功率：80W
阈值电压：4V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：5.9Ω@1A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK2P90E，RQ
工作温度：150℃
功率：80W
阈值电压：4V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：5.9Ω@1A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK2P90E，RQ
工作温度：150℃
功率：80W
阈值电压：4V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：5.9Ω@1A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4210
工作温度：150℃
功率：2.5W€190W
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：托盘
输入电容：1500pF@30V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：1.3Ω@5A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK2P90E，RQ
工作温度：150℃
功率：80W
阈值电压：4V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：5.9Ω@1A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK2P90E，RQ
工作温度：150℃
功率：80W
阈值电压：4V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：5.9Ω@1A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4210
工作温度：150℃
功率：2.5W€190W
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：托盘
输入电容：1500pF@30V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：1.3Ω@5A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK2P90E，RQ
工作温度：150℃
功率：80W
阈值电压：4V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：5.9Ω@1A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4210
工作温度：150℃
功率：2.5W€190W
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：托盘
输入电容：1500pF@30V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：1.3Ω@5A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4210
工作温度：150℃
功率：2.5W€190W
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：托盘
输入电容：1500pF@30V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：1.3Ω@5A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4210
工作温度：150℃
功率：2.5W€190W
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：托盘
输入电容：1500pF@30V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：1.3Ω@5A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK9J90E，S1E
工作温度：150℃
功率：250W
阈值电压：4V@900µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2000pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：1.3Ω@4.5A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK9J90E，S1E
工作温度：150℃
功率：250W
阈值电压：4V@900µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2000pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：1.3Ω@4.5A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK2P90E，RQ
工作温度：150℃
功率：80W
阈值电压：4V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：5.9Ω@1A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK2P90E，RQ
工作温度：150℃
功率：80W
阈值电压：4V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：5.9Ω@1A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK2P90E，RQ
工作温度：150℃
功率：80W
阈值电压：4V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：5.9Ω@1A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK2P90E，RQ
阈值电压：4V@200µA
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：900V
输入电容：500pF@25V
工作温度：150℃
类型：N沟道
连续漏极电流：2A
栅极电荷：12nC@10V
导通电阻：5.9Ω@1A，10V
功率：80W
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"11+"：2500}
规格型号(MPN)：2SK4210
导通电阻：1.3Ω@5A，10V
漏源电压：900V
连续漏极电流：10A
栅极电荷：75nC@10V
工作温度：150℃
输入电容：1500pF@30V
类型：N沟道
包装方式：托盘
ECCN：EAR99
功率：2.5W€190W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"11+"：2500}
规格型号(MPN)：2SK4210
导通电阻：1.3Ω@5A，10V
漏源电压：900V
连续漏极电流：10A
栅极电荷：75nC@10V
工作温度：150℃
输入电容：1500pF@30V
类型：N沟道
包装方式：托盘
ECCN：EAR99
功率：2.5W€190W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK2P90E，RQ
阈值电压：4V@200µA
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：900V
输入电容：500pF@25V
工作温度：150℃
类型：N沟道
连续漏极电流：2A
栅极电荷：12nC@10V
导通电阻：5.9Ω@1A，10V
功率：80W
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK9A90E，S4X
工作温度：150℃
功率：50W
阈值电压：4V@900µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2000pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：1.3Ω@4.5A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK2P90E，RQ
工作温度：150℃
功率：80W
阈值电压：4V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：5.9Ω@1A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK7A90E，S4X
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@700µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1350pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@3.5A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK7A90E，S4X
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@700µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1350pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@3.5A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4210
工作温度：150℃
功率：2.5W€190W
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：托盘
输入电容：1500pF@30V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：1.3Ω@5A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK9A90E，S4X
工作温度：150℃
功率：50W
阈值电压：4V@900µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2000pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：1.3Ω@4.5A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK9A90E，S4X
工作温度：150℃
功率：50W
阈值电压：4V@900µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2000pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：1.3Ω@4.5A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK9A90E，S4X
工作温度：150℃
功率：50W
阈值电压：4V@900µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2000pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：1.3Ω@4.5A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK7A90E，S4X
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@700µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1350pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@3.5A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4210
工作温度：150℃
功率：2.5W€190W
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：托盘
输入电容：1500pF@30V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：1.3Ω@5A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
