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    ROHM Mosfet场效应管 BSS138WT106 起订7个装
    ROHM Mosfet场效应管 BSS138WT106 起订7个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS138WT106

    工作温度:150℃

    功率:200mW

    阈值电压:2.3V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:15pF@30V

    连续漏极电流:310mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4Ω@310mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K72KFS,LXHF 起订9个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K72KFS,LXHF 起订9个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3K72KFS,LXHF

    工作温度:150℃

    功率:150mW

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:40pF@10V

    连续漏极电流:300mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@100mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH2R306NH1,LQ 起订5000个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH2R306NH1,LQ 起订5000个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPH2R306NH1,LQ

    工作温度:150℃

    功率:800mW€170W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:72nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6100pF@30V

    连续漏极电流:136A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.3mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 2SJ601-ZK-E1-AZ 起订1个装
    RENESAS Mosfet场效应管 2SJ601-ZK-E1-AZ 起订1个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2SJ601-ZK-E1-AZ

    工作温度:150℃

    功率:1W€65W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:63nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3300pF@10V

    连续漏极电流:36A

    类型:N沟道

    导通电阻:31mΩ@18A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3K72KFS,LF 起订17个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3K72KFS,LF 起订17个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3K72KFS,LF

    工作温度:150℃

    功率:150mW

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:40pF@10V

    连续漏极电流:300mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@100mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH2R306NH1,LQ 起订2个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH2R306NH1,LQ 起订2个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPH2R306NH1,LQ

    工作温度:150℃

    功率:800mW€170W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:72nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6100pF@30V

    连续漏极电流:136A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.3mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K7002CFU,LF 起订18个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K7002CFU,LF 起订18个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3K7002CFU,LF

    工作温度:150℃

    功率:150mW

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.35nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:17pF@10V

    连续漏极电流:170mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3.9Ω@100mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 2SK4066-DL-E 起订32个装
    onsemi Mosfet场效应管 2SK4066-DL-E 起订32个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":1583}

    销售单位:

    规格型号(MPN):2SK4066-DL-E

    工作温度:150℃

    功率:1.65W€90W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:220nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:12500pF@20V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.7mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K72CTC,L3F 起订13个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K72CTC,L3F 起订13个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3K72CTC,L3F

    工作温度:150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.35nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:17pF@10V

    连续漏极电流:150mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3.9Ω@100mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 SFT1446-H 起订1036个装
    onsemi Mosfet场效应管 SFT1446-H 起订1036个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":2000}

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SFT1446-H

    工作温度:150℃

    功率:1W€23W

    阈值电压:2.6V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:750pF@20V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:51mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK30E06N1,S1X 起订2个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK30E06N1,S1X 起订2个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK30E06N1,S1X

    工作温度:150℃

    功率:53W

    阈值电压:4V@200µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1050pF@30V

    连续漏极电流:43A

    类型:N沟道

    导通电阻:15mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 2SK3816-DL-1E 起订190个装
    onsemi Mosfet场效应管 2SK3816-DL-1E 起订190个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":439,"19+":1600}

    销售单位:

    规格型号(MPN):2SK3816-DL-1E

    工作温度:150℃

    功率:1.65W€50W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1780pF@20V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:26mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK40A06N1,S4X 起订2个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK40A06N1,S4X 起订2个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK40A06N1,S4X

    工作温度:150℃

    功率:30W

    阈值电压:4V@300µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1700pF@30V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.4mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RK7002BMHZGT116 起订13个装
    ROHM Mosfet场效应管 RK7002BMHZGT116 起订13个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RK7002BMHZGT116

    工作温度:150℃

    功率:350mW

    阈值电压:2.3V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:15pF@25V

    连续漏极电流:250mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4Ω@250mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RD3L080SNFRATL 起订10个装
    ROHM Mosfet场效应管 RD3L080SNFRATL 起订10个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RD3L080SNFRATL

    工作温度:150℃

    功率:15W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:380pF@10V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RD3L080SNFRATL 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 RD3L080SNFRATL 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RD3L080SNFRATL

    工作温度:150℃

    功率:15W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:380pF@10V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5L035GNTCL 起订10个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5L035GNTCL 起订10个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ5L035GNTCL

    工作温度:150℃

    功率:700mW

    阈值电压:2.7V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:375pF@30V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RSR020N06TL 起订3个装
    ROHM Mosfet场效应管 RSR020N06TL 起订3个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RSR020N06TL

    工作温度:150℃

    功率:540mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:180pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:170mΩ@2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K72CTC,L3F 起订13个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K72CTC,L3F 起订13个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3K72CTC,L3F

    工作温度:150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.35nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:17pF@10V

    连续漏极电流:150mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3.9Ω@100mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH2R306NH,L1Q 起订2000个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH2R306NH,L1Q 起订2000个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPH2R306NH,L1Q

    工作温度:150℃

    功率:1.6W€78W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:72nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6100pF@30V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.3mΩ@30A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RSS065N06HZGTB 起订10个装
    ROHM Mosfet场效应管 RSS065N06HZGTB 起订10个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RSS065N06HZGTB

    工作温度:150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:900pF@10V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:37mΩ@6.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RSS065N06HZGTB 起订1000个装
    ROHM Mosfet场效应管 RSS065N06HZGTB 起订1000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RSS065N06HZGTB

    工作温度:150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:900pF@10V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:37mΩ@6.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RSR030N06HZGTL 起订6000个装
    ROHM Mosfet场效应管 RSR030N06HZGTL 起订6000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RSR030N06HZGTL

    工作温度:150℃

    功率:700mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:380pF@10V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:85mΩ@3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RS3L045GNGZETB 起订3个装
    ROHM Mosfet场效应管 RS3L045GNGZETB 起订3个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RS3L045GNGZETB

    工作温度:150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.7V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:285pF@30V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:59mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RSS065N06HZGTB 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 RSS065N06HZGTB 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RSS065N06HZGTB

    工作温度:150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:900pF@10V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:37mΩ@6.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K72KFS,LXHF 起订1000个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K72KFS,LXHF 起订1000个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3K72KFS,LXHF

    工作温度:150℃

    功率:150mW

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:40pF@10V

    连续漏极电流:300mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@100mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK0601DPN-E0#T2 起订500个装
    RENESAS Mosfet场效应管 RJK0601DPN-E0#T2 起订500个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"16+":589,"17+":606,"18+":445}

    销售单位:

    规格型号(MPN):RJK0601DPN-E0#T2

    工作温度:150℃

    功率:200W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:141nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:10000pF@10V

    连续漏极电流:110A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.1mΩ@55A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RJP020N06T100 起订500个装
    ROHM Mosfet场效应管 RJP020N06T100 起订500个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RJP020N06T100

    工作温度:150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:160pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:240mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002BKW,115 起订16个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002BKW,115 起订16个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002BKW,115

    工作温度:150℃

    功率:275mW

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@10V

    连续漏极电流:310mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5L030SNTL 起订1000个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5L030SNTL 起订1000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ5L030SNTL

    工作温度:150℃

    功率:700mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:380pF@10V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:85mΩ@3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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