采购热线 400-661-9010
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RUF020N02TL
工作温度：150℃
功率：320mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：180pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：105mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：QS5U13TR
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：175pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK2P90E，RQ
工作温度：150℃
功率：80W
阈值电压：4V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：5.9Ω@1A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：4450，"14+"：13030，"17+"：15000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCH1430-TL-H
工作温度：150℃
功率：800mW
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：128pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSR020N06TL
工作温度：150℃
功率：540mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：180pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：170mΩ@2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：25000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCH1430-TL-W
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：1.3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：128pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K347R，LF
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：86pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：340mΩ@1A，10V
漏源电压：38V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K122TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.4nC@4V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：195pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：123mΩ@1A，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：2609}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3746
工作温度：150℃
功率：2.5W€110W
ECCN：EAR99
栅极电荷：37.5nC@10V
包装方式：托盘
输入电容：380pF@30V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：13Ω@1A，10V
漏源电压：1500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJP020N06T100
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@4V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：160pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：240mΩ@2A，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K2615R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：300mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ5H020TNTL
工作温度：150℃
功率：700mW
阈值电压：1.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：200pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@2A，4.V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS2324
工作温度：150℃
功率：1.2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@50V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RTQ020N03TR
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：135pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK2P90E，RQ
工作温度：150℃
功率：80W
阈值电压：4V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：5.9Ω@1A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSR020N06TL
工作温度：150℃
功率：540mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：180pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：170mΩ@2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ5H020TNTL
工作温度：150℃
功率：700mW
阈值电压：1.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：200pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@2A，4.V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3065T100
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：160pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：320mΩ@1A，4V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QS5U13TR
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：175pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RUF020N02TL
工作温度：150℃
功率：320mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：180pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：105mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K2615R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：300mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK2P90E，RQ
工作温度：150℃
功率：80W
阈值电压：4V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：5.9Ω@1A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RTQ020N03TR
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：135pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RTQ020N03TR
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：135pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K347R，LF
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：86pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：340mΩ@1A，10V
漏源电压：38V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RUF020N02TL
工作温度：150℃
功率：320mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：180pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：105mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K347R，LF
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：86pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：340mΩ@1A，10V
漏源电压：38V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK2P90E，RQ
工作温度：150℃
功率：80W
阈值电压：4V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：5.9Ω@1A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QS5U13TR
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：175pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K127TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.5nC@4V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：123pF@15V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：123mΩ@1A，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
