采购热线 400-661-9010
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6011ENXC7G
工作温度：150℃
功率：53W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：管件
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：390mΩ@3.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：1877}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK6013DPP-E0#T2
工作温度：150℃
功率：30W
ECCN：EAR99
栅极电荷：37.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1450pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：700mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：1877}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK6013DPP-E0#T2
工作温度：150℃
功率：30W
ECCN：EAR99
栅极电荷：37.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1450pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：700mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6011ENXC7G
工作温度：150℃
功率：53W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：管件
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：390mΩ@3.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：83850，"13+"：51124，"15+"：1799}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4085LS-1E
工作温度：150℃
功率：2W€40W
ECCN：EAR99
栅极电荷：46.6nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1200pF@30V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：430mΩ@8A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4E110BNTR
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：11.1mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：1877}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK6013DPP-E0#T2
工作温度：150℃
功率：30W
ECCN：EAR99
栅极电荷：37.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1450pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：700mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：83850，"13+"：51124，"15+"：1799}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4085LS-1E
工作温度：150℃
功率：2W€40W
ECCN：EAR99
栅极电荷：46.6nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1200pF@30V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：430mΩ@8A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK650A60F，S4X
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@1.16mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1320pF@300V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：650mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4E110BNTR
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：11.1mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：1877}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK6013DPP-E0#T2
工作温度：150℃
功率：30W
ECCN：EAR99
栅极电荷：37.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1450pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：700mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4E110BNTR
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：11.1mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4E110BNTR
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：11.1mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4E110BNTR
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：11.1mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：83850，"13+"：51124，"15+"：1799}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4085LS-1E
工作温度：150℃
功率：2W€40W
ECCN：EAR99
栅极电荷：46.6nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1200pF@30V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：430mΩ@8A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6011ENXC7G
工作温度：150℃
功率：53W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：管件
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：390mΩ@3.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4E110BNTR
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：11.1mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK650A60F，S4X
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@1.16mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1320pF@300V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：650mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：83850，"13+"：51124，"15+"：1799}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4085LS-1E
工作温度：150℃
功率：2W€40W
ECCN：EAR99
栅极电荷：46.6nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1200pF@30V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：430mΩ@8A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4E110BNTR
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：11.1mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：83850，"13+"：51124，"15+"：1799}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4085LS-1E
漏源电压：500V
输入电容：1200pF@30V
工作温度：150℃
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
功率：2W€40W
导通电阻：430mΩ@8A，10V
包装方式：管件
ECCN：EAR99
栅极电荷：46.6nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"18+"：1877}
规格型号(MPN)：RJK6013DPP-E0#T2
栅极电荷：37.5nC@10V
工作温度：150℃
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：700mΩ@5.5A，10V
输入电容：1450pF@25V
包装方式：管件
功率：30W
漏源电压：600V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4E110BNTR
输入电容：1200pF@15V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：150℃
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
功率：2W
栅极电荷：24nC@10V
导通电阻：11.1mΩ@11A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6011ENXC7G
工作温度：150℃
功率：53W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：管件
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：390mΩ@3.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4E110BNTR
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：11.1mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4E110BNTR
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：11.1mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK650A60F，S4X
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@1.16mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1320pF@300V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：650mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4E110BNTR
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：11.1mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK650A60F，S4X
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@1.16mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1320pF@300V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：650mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6011ENX
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：散装
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：390mΩ@3.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
