采购热线 400-661-9010
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH8R903NL，LQ
工作温度：150℃
功率：1.6W€24W
阈值电压：2.3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：820pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：8.9mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：2000}
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SFT1446-H
工作温度：150℃
功率：1W€23W
阈值电压：2.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：散装
输入电容：750pF@20V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：51mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：721}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3707-1E
工作温度：150℃
功率：2W€25W
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2150pF@20V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK0349DSP-00#J0
工作温度：150℃
功率：2.5W
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3850pF@10V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH8R903NL，LQ
工作温度：150℃
功率：1.6W€24W
阈值电压：2.3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：820pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：8.9mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6020ENJTL
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：196mΩ@9.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN6R303NC，LQ
工作温度：150℃
功率：700mW€19W
阈值电压：2.3V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1370pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：6.3mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：721}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3707-1E
工作温度：150℃
功率：2W€25W
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2150pF@20V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6020ENJTL
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：196mΩ@9.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH8R903NL，LQ
工作温度：150℃
功率：1.6W€24W
阈值电压：2.3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：820pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：8.9mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6520ENXC7G
工作温度：150℃
功率：68W
阈值电压：4V@630µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：61nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：205mΩ@9.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN6R303NC，LQ
工作温度：150℃
功率：700mW€19W
阈值电压：2.3V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1370pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：6.3mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：6017}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4043LS
工作温度：150℃
功率：2W€20W
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@4V
包装方式：袋
输入电容：3000pF@20V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@10A，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH8R903NL，LQ
工作温度：150℃
功率：1.6W€24W
阈值电压：2.3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：820pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：8.9mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK20A60W5，S5VX
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1800pF@300V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：175mΩ@10A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH8R903NL，LQ
工作温度：150℃
功率：1.6W€24W
阈值电压：2.3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：820pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：8.9mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6020ENJTL
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：196mΩ@9.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3H200SNFRATL
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@10V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@20A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH8R903NL，LQ
工作温度：150℃
功率：1.6W€24W
阈值电压：2.3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：820pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：8.9mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH8R903NL，LQ
工作温度：150℃
功率：1.6W€24W
阈值电压：2.3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：820pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：8.9mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH8R903NL，LQ
工作温度：150℃
功率：1.6W€24W
阈值电压：2.3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：820pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：8.9mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6020ENJTL
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：196mΩ@9.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6020ENJTL
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：196mΩ@9.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3H200SNFRATL
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@10V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@20A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN6R303NC，LQ
工作温度：150℃
功率：700mW€19W
阈值电压：2.3V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1370pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：6.3mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN6R303NC，LQ
工作温度：150℃
功率：700mW€19W
阈值电压：2.3V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1370pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：6.3mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3H200SNFRATL
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@10V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@20A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6020ENJTL
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：196mΩ@9.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN6R303NC，LQ
工作温度：150℃
功率：700mW€19W
阈值电压：2.3V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1370pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：6.3mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6020ENJTL
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：196mΩ@9.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
