品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K72CTC,L3F
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.35nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:17pF@10V
连续漏极电流:150mA
类型:N沟道
导通电阻:3.9Ω@100mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K56CT,L3F
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:55pF@10V
连续漏极电流:800mA
类型:N沟道
导通电阻:235mΩ@800mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K72CTC,L3F
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.35nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:17pF@10V
连续漏极电流:150mA
类型:N沟道
导通电阻:3.9Ω@100mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K122TU,LF
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.4nC@4V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:195pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:123mΩ@1A,4V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K56CT,L3F
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:55pF@10V
连续漏极电流:800mA
类型:N沟道
导通电阻:235mΩ@800mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RJP020N06T100
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:1.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@4V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:160pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:240mΩ@2A,4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K56ACT,L3F
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:55pF@10V
连续漏极电流:1.4A
类型:N沟道
导通电阻:235mΩ@800mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK3065T100
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:1.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:160pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:320mΩ@1A,4V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6K217FE,LF
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:1.2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.1nC@4.2V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:130pF@10V
连续漏极电流:1.8A
类型:N沟道
导通电阻:195mΩ@1A,8V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6K406TU,LF
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:490pF@15V
连续漏极电流:4.4A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6K403TU,LF
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.8nC@4V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1050pF@10V
连续漏极电流:4.2A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@3A,4V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TOREX
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XP151A13A0MR-G
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:220pF@10V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K15ACTC,L3F
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:1.5V@100µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:13.5pF@3V
连续漏极电流:100mA
类型:N沟道
导通电阻:3.6Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6K217FE,LF
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:1.2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.1nC@4.2V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:130pF@10V
连续漏极电流:1.8A
类型:N沟道
导通电阻:195mΩ@1A,8V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K127TU,LF
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.5nC@4V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:123pF@15V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:123mΩ@1A,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K35AFS,LF
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.34nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:36pF@10V
连续漏极电流:250mA
类型:N沟道
导通电阻:1.1Ω@150mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K35AFS,LF
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.34nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:36pF@10V
连续漏极电流:250mA
类型:N沟道
导通电阻:1.1Ω@150mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K127TU,LF
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.5nC@4V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:123pF@15V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:123mΩ@1A,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RJP020N06T100
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:1.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@4V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:160pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:240mΩ@2A,4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K15ACTC,L3F
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:1.5V@100µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:13.5pF@3V
连续漏极电流:100mA
类型:N沟道
导通电阻:3.6Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TOREX
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XP151A13A0MR-G
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:220pF@10V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K15ACTC,L3F
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:1.5V@100µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:13.5pF@3V
连续漏极电流:100mA
类型:N沟道
导通电阻:3.6Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K122TU,LF
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.4nC@4V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:195pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:123mΩ@1A,4V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K15ACTC,L3F
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:1.5V@100µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:13.5pF@3V
连续漏极电流:100mA
类型:N沟道
导通电阻:3.6Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK3065T100
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:1.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:160pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:320mΩ@1A,4V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K56ACT,L3F
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:55pF@10V
连续漏极电流:1.4A
类型:N沟道
导通电阻:235mΩ@800mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K35CTC,L3F
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.34nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:36pF@10V
连续漏极电流:250mA
类型:N沟道
导通电阻:1.1Ω@150mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K15ACTC,L3F
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:1.5V@100µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:13.5pF@3V
连续漏极电流:100mA
类型:N沟道
导通电阻:3.6Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K122TU,LF
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.4nC@4V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:195pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:123mΩ@1A,4V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6K407TU,LF
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:300mΩ@1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: