采购热线 400-661-9010
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：4000，"19+"：8236}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK5014DPP-E0#T2
工作温度：150℃
功率：35W
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1800pF@25V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：390mΩ@9.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：4000，"19+"：8236}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK5014DPP-E0#T2
工作温度：150℃
功率：35W
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1800pF@25V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：390mΩ@9.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：5107}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK6014DPP-E0#T2
工作温度：150℃
功率：35W
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1800pF@25V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：575mΩ@8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：4000，"19+"：8236}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK5014DPP-E0#T2
工作温度：150℃
功率：35W
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1800pF@25V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：390mΩ@9.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：5107}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK6014DPP-E0#T2
工作温度：150℃
功率：35W
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1800pF@25V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：575mΩ@8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：10000}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK3A65DA(STA4，QM)
工作温度：150℃
功率：35W
阈值电压：4.4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：管件
输入电容：490pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：2.51Ω@1.3A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：4000，"19+"：8236}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK5014DPP-E0#T2
工作温度：150℃
功率：35W
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1800pF@25V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：390mΩ@9.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：4000，"19+"：8236}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK5014DPP-E0#T2
工作温度：150℃
功率：35W
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1800pF@25V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：390mΩ@9.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：4000，"19+"：8236}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK5014DPP-E0#T2
工作温度：150℃
功率：35W
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1800pF@25V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：390mΩ@9.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：10000}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK3A65DA(STA4，QM)
工作温度：150℃
功率：35W
阈值电压：4.4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：管件
输入电容：490pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：2.51Ω@1.3A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK42A12N1，S4X
工作温度：150℃
功率：35W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3100pF@60V
连续漏极电流：42A
类型：N沟道
导通电阻：9.4mΩ@21A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK42A12N1，S4X
工作温度：150℃
功率：35W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3100pF@60V
连续漏极电流：42A
类型：N沟道
导通电阻：9.4mΩ@21A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK4A80E，S4X
工作温度：150℃
功率：35W
阈值电压：4V@400µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：650pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：3.5Ω@2A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK42A12N1，S4X
工作温度：150℃
功率：35W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3100pF@60V
连续漏极电流：42A
类型：N沟道
导通电阻：9.4mΩ@21A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK11A65W，S5X
工作温度：150℃
功率：35W
阈值电压：3.5V@450µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：890pF@300V
连续漏极电流：11.1A
类型：N沟道
导通电阻：390mΩ@5.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK1K2A60F，S4X
工作温度：150℃
功率：35W
阈值电压：4V@630µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：管件
输入电容：740pF@300V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：5107}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK6014DPP-E0#T2
工作温度：150℃
功率：35W
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1800pF@25V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：575mΩ@8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK11A65W，S5X
工作温度：150℃
功率：35W
阈值电压：3.5V@450µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：890pF@300V
连续漏极电流：11.1A
类型：N沟道
导通电阻：390mΩ@5.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK4A80E，S4X
工作温度：150℃
功率：35W
阈值电压：4V@400µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：650pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：3.5Ω@2A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：5107}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK6014DPP-E0#T2
工作温度：150℃
功率：35W
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1800pF@25V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：575mΩ@8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK11A65W，S5X
工作温度：150℃
功率：35W
阈值电压：3.5V@450µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：890pF@300V
连续漏极电流：11.1A
类型：N沟道
导通电阻：390mΩ@5.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK42A12N1，S4X
工作温度：150℃
功率：35W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3100pF@60V
连续漏极电流：42A
类型：N沟道
导通电阻：9.4mΩ@21A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK4A80E，S4X
工作温度：150℃
功率：35W
阈值电压：4V@400µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：650pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：3.5Ω@2A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK11A65W，S5X
工作温度：150℃
功率：35W
阈值电压：3.5V@450µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：890pF@300V
连续漏极电流：11.1A
类型：N沟道
导通电阻：390mΩ@5.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK42A12N1，S4X
工作温度：150℃
功率：35W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3100pF@60V
连续漏极电流：42A
类型：N沟道
导通电阻：9.4mΩ@21A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK42A12N1，S4X
工作温度：150℃
功率：35W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3100pF@60V
连续漏极电流：42A
类型：N沟道
导通电阻：9.4mΩ@21A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK4A80E，S4X
工作温度：150℃
功率：35W
阈值电压：4V@400µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：650pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：3.5Ω@2A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：5107}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK6014DPP-E0#T2
工作温度：150℃
功率：35W
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1800pF@25V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：575mΩ@8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK4A80E，S4X
工作温度：150℃
功率：35W
阈值电压：4V@400µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：650pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：3.5Ω@2A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK42A12N1，S4X
工作温度：150℃
功率：35W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3100pF@60V
连续漏极电流：42A
类型：N沟道
导通电阻：9.4mΩ@21A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
