品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK12P60W,RVQ
工作温度:150℃
功率:100W
阈值电压:3.7V@600µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:890pF@300V
连续漏极电流:11.5A
类型:N沟道
导通电阻:340mΩ@5.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK12P60W,RVQ
工作温度:150℃
功率:100W
阈值电压:3.7V@600µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:890pF@300V
连续漏极电流:11.5A
类型:N沟道
导通电阻:340mΩ@5.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSJ650N10TL
工作温度:150℃
功率:100W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:260nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10780pF@25V
连续漏极电流:65A
类型:N沟道
导通电阻:9.1mΩ@32.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK290P65Y,RQ
工作温度:150℃
功率:100W
阈值电压:4V@450µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:730pF@300V
连续漏极电流:11.5A
类型:N沟道
导通电阻:290mΩ@5.8A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSJ550N10TL
工作温度:150℃
功率:100W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:143nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6150pF@25V
连续漏极电流:55A
类型:N沟道
导通电阻:16.8mΩ@27.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSJ550N10TL
工作温度:150℃
功率:100W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:143nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6150pF@25V
连续漏极电流:55A
类型:N沟道
导通电阻:16.8mΩ@27.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSJ550N10TL
工作温度:150℃
功率:100W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:143nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6150pF@25V
连续漏极电流:55A
类型:N沟道
导通电阻:16.8mΩ@27.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSJ650N10TL
工作温度:150℃
功率:100W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:260nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10780pF@25V
连续漏极电流:65A
类型:N沟道
导通电阻:9.1mΩ@32.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSJ650N10TL
工作温度:150℃
功率:100W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:260nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10780pF@25V
连续漏极电流:65A
类型:N沟道
导通电阻:9.1mΩ@32.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK290P65Y,RQ
工作温度:150℃
功率:100W
阈值电压:4V@450µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:730pF@300V
连续漏极电流:11.5A
类型:N沟道
导通电阻:290mΩ@5.8A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK290P65Y,RQ
工作温度:150℃
功率:100W
阈值电压:4V@450µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:730pF@300V
连续漏极电流:11.5A
类型:N沟道
导通电阻:290mΩ@5.8A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK290P65Y,RQ
工作温度:150℃
功率:100W
阈值电压:4V@450µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:730pF@300V
连续漏极电流:11.5A
类型:N沟道
导通电阻:290mΩ@5.8A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK12P60W,RVQ
工作温度:150℃
功率:100W
阈值电压:3.7V@600µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:890pF@300V
连续漏极电流:11.5A
类型:N沟道
导通电阻:340mΩ@5.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK12P60W,RVQ
工作温度:150℃
功率:100W
阈值电压:3.7V@600µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:890pF@300V
连续漏极电流:11.5A
类型:N沟道
导通电阻:340mΩ@5.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK290P65Y,RQ
工作温度:150℃
功率:100W
阈值电压:4V@450µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:730pF@300V
连续漏极电流:11.5A
类型:N沟道
导通电阻:290mΩ@5.8A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK12P60W,RVQ
工作温度:150℃
功率:100W
阈值电压:3.7V@600µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:890pF@300V
连续漏极电流:11.5A
类型:N沟道
导通电阻:340mΩ@5.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK290P65Y,RQ
工作温度:150℃
功率:100W
阈值电压:4V@450µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:730pF@300V
连续漏极电流:11.5A
类型:N沟道
导通电阻:290mΩ@5.8A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK290P65Y,RQ
工作温度:150℃
功率:100W
阈值电压:4V@450µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:730pF@300V
连续漏极电流:11.5A
类型:N沟道
导通电阻:290mΩ@5.8A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSJ650N10TL
工作温度:150℃
功率:100W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:260nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10780pF@25V
连续漏极电流:65A
类型:N沟道
导通电阻:9.1mΩ@32.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK1317-E
工作温度:150℃
功率:100W
ECCN:EAR99
包装方式:管件
输入电容:990pF@10V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:12Ω@2A,15V
漏源电压:1500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSJ550N10TL
工作温度:150℃
功率:100W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:143nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6150pF@25V
连续漏极电流:55A
类型:N沟道
导通电阻:16.8mΩ@27.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK12P60W,RVQ
工作温度:150℃
功率:100W
阈值电压:3.7V@600µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:890pF@300V
连续漏极电流:11.5A
类型:N沟道
导通电阻:340mΩ@5.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK290P65Y,RQ
工作温度:150℃
功率:100W
阈值电压:4V@450µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:730pF@300V
连续漏极电流:11.5A
类型:N沟道
导通电阻:290mΩ@5.8A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK290P65Y,RQ
工作温度:150℃
功率:100W
阈值电压:4V@450µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:730pF@300V
连续漏极电流:11.5A
类型:N沟道
导通电阻:290mΩ@5.8A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSJ550N10TL
工作温度:150℃
功率:100W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:143nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6150pF@25V
连续漏极电流:55A
类型:N沟道
导通电阻:16.8mΩ@27.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK290P65Y,RQ
工作温度:150℃
功率:100W
阈值电压:4V@450µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:730pF@300V
连续漏极电流:11.5A
类型:N沟道
导通电阻:290mΩ@5.8A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK10E60W,S1VX
工作温度:150℃
功率:100W
阈值电压:3.7V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:管件
输入电容:700pF@300V
连续漏极电流:9.7A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@4.9A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK290P65Y,RQ
工作温度:150℃
功率:100W
阈值电压:4V@450µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:730pF@300V
连续漏极电流:11.5A
类型:N沟道
导通电阻:290mΩ@5.8A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSJ550N10TL
工作温度:150℃
功率:100W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:143nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6150pF@25V
连续漏极电流:55A
类型:N沟道
导通电阻:16.8mΩ@27.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK12P60W,RVQ
工作温度:150℃
功率:100W
阈值电压:3.7V@600µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:890pF@300V
连续漏极电流:11.5A
类型:N沟道
导通电阻:340mΩ@5.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存: