品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN1R2-55SLHX
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:2.2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:395nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:25773pF@27V
连续漏极电流:330A
类型:N沟道
导通电阻:1.03mΩ@25A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R4-30MLDX
工作温度:-55℃~175℃
功率:91W
阈值电压:2.2V@1mA
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3264pF@15V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN0R9-30YLDX
工作温度:-55℃~150℃
功率:291W
阈值电压:2.2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:109nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7668pF@15V
连续漏极电流:300A
类型:N沟道
导通电阻:0.87mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN1R0-40YLDX
工作温度:-55℃~150℃
功率:198W
阈值电压:2.2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:127nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8845pF@20V
连续漏极电流:280A
类型:N沟道
导通电阻:1.1mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN0R9-30YLDX
工作温度:-55℃~150℃
功率:291W
阈值电压:2.2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:109nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7668pF@15V
连续漏极电流:300A
类型:N沟道
导通电阻:0.87mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R4-30MLDX
工作温度:-55℃~175℃
功率:91W
阈值电压:2.2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3264pF@15V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN7R5-30YLDX
工作温度:-55℃~175℃
功率:34W
阈值电压:2.2V@1mA
栅极电荷:11.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:655pF@15V
连续漏极电流:51A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R0-55YLHX
工作温度:-55℃~175℃
功率:333W
阈值电压:2.2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:184nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11353pF@27V
连续漏极电流:200A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@25A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R4-30MLDX
工作温度:-55℃~175℃
功率:91W
阈值电压:2.2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3264pF@15V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R0-55YLHX
工作温度:-55℃~175℃
功率:333W
阈值电压:2.2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:184nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11353pF@27V
连续漏极电流:200A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@25A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R1-30YLEX
工作温度:-55℃~175℃
功率:124W
阈值电压:2.2V@1mA
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3749pF@15V
连续漏极电流:160A
类型:N沟道
导通电阻:2.17mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":93000,"MI+":1500}
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9M11-40HX
工作温度:-55℃~175℃
功率:50W
阈值电压:2.2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1345pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN0R9-30YLDX
工作温度:-55℃~150℃
功率:291W
阈值电压:2.2V@1mA
栅极电荷:109nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7668pF@15V
连续漏极电流:300A
类型:N沟道
导通电阻:0.87mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R0-30YLDX
工作温度:-55℃~175℃
功率:64W
阈值电压:2.2V@1mA
栅极电荷:19.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1272pF@15V
连续漏极电流:95A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN1R2-25YLDX
工作温度:-55℃~175℃
功率:172W
阈值电压:2.2V@1mA
栅极电荷:60.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4327pF@12V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.2mΩ@25A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":60000,"MI+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN1R6-30MLHX
工作温度:-55℃~175℃
功率:106W
阈值电压:2.2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2369pF@15V
连续漏极电流:160A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN1R0-40YLDX
工作温度:-55℃~150℃
功率:198W
阈值电压:2.2V@1mA
栅极电荷:127nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8845pF@20V
连续漏极电流:280A
类型:N沟道
导通电阻:1.1mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R4-30MLDX
工作温度:-55℃~175℃
功率:91W
阈值电压:2.2V@1mA
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3264pF@15V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R4-30YLDX
工作温度:-55℃~175℃
功率:106W
阈值电压:2.2V@1mA
栅极电荷:31.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2256pF@15V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMNR90-30BL,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:306W
阈值电压:2.2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:243nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14850pF@15V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:1mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":4500,"MI+":6000}
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN1R2-30YLDX
工作温度:-55℃~175℃
功率:194W
阈值电压:2.2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4616pF@15V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.24mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN1R2-30YLDX
工作温度:-55℃~175℃
功率:194W
阈值电压:2.2V@1mA
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4616pF@15V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.24mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN1R4-40YLDX
工作温度:-55℃~175℃
功率:238W
阈值电压:2.2V@1mA
栅极电荷:96nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6661pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.4mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN1R0-40YLDX
工作温度:-55℃~150℃
功率:198W
阈值电压:2.2V@1mA
栅极电荷:127nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8845pF@20V
连续漏极电流:280A
类型:N沟道
导通电阻:1.1mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN1R2-55SLHX
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:2.2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:395nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:25773pF@27V
连续漏极电流:330A
类型:N沟道
导通电阻:1.03mΩ@25A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN1R4-40YLDX
工作温度:-55℃~175℃
功率:238W
阈值电压:2.2V@1mA
栅极电荷:96nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6661pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.4mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN1R4-40YLDX
工作温度:-55℃~175℃
功率:238W
阈值电压:2.2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:96nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6661pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.4mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN1R5-25MLHX
工作温度:-55℃~175℃
功率:106W
阈值电压:2.2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:58nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3167pF@12V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:1.81mΩ@25A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN1R0-40YLDX
工作温度:-55℃~150℃
功率:198W
阈值电压:2.2V@1mA
栅极电荷:127nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8845pF@20V
连续漏极电流:280A
类型:N沟道
导通电阻:1.1mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN1R4-40YLDX
工作温度:-55℃~175℃
功率:238W
阈值电压:2.2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:96nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6661pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.4mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: