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    类型: N沟道
    阈值电压: 2.5V@1mA
    行业应用: 工业
    当前匹配商品:3000+
    商品信息
    参数
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    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPCA8026(TE12L,Q,M 起订1个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPCA8026(TE12L,Q,M 起订1个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPCA8026(TE12L,Q,M

    工作温度:150℃

    功率:1.6W€45W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:113nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4200pF@10V

    连续漏极电流:45A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.2mΩ@23A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RK7002AT116 起订52个装
    ROHM Mosfet场效应管 RK7002AT116 起订52个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RK7002AT116

    工作温度:150℃

    功率:200mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:33pF@10V

    连续漏极电流:300mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1Ω@300mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    SANKEN Mosfet场效应管 GKI07113 起订2个装
    SANKEN Mosfet场效应管 GKI07113 起订2个装

    品牌:SANKEN

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GKI07113

    工作温度:150℃

    功率:3.1W€77W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:57nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4040pF@25V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.1mΩ@27.2A,10V

    漏源电压:75V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    EPC Mosfet场效应管 EPC2040 起订2500个装
    EPC Mosfet场效应管 EPC2040 起订2500个装

    品牌:EPC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):EPC2040

    工作温度:-40℃~150℃

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.93nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:105pF@6V

    连续漏极电流:3.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@1.5A,5V

    漏源电压:15V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RS1G300GNTB 起订1个装
    ROHM Mosfet场效应管 RS1G300GNTB 起订1个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RS1G300GNTB

    工作温度:150℃

    功率:3W€35W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:56.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4230pF@20V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5mΩ@30A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3E100BNTB 起订18个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3E100BNTB 起订18个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ3E100BNTB

    工作温度:150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1100pF@15V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.4mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RSF014N03TL 起订3000个装
    ROHM Mosfet场效应管 RSF014N03TL 起订3000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RSF014N03TL

    工作温度:150℃

    功率:800mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:2nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:70pF@10V

    连续漏极电流:1.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:240mΩ@1.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RMW200N03TB 起订3个装
    ROHM Mosfet场效应管 RMW200N03TB 起订3个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RMW200N03TB

    工作温度:150℃

    功率:3W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1780pF@15V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RSQ035N03HZGTR 起订4个装
    ROHM Mosfet场效应管 RSQ035N03HZGTR 起订4个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RSQ035N03HZGTR

    工作温度:150℃

    功率:950mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:7.4nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:290pF@10V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:62mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RD3P100SNTL1 起订2500个装
    ROHM Mosfet场效应管 RD3P100SNTL1 起订2500个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RD3P100SNTL1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:20W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:700pF@25V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:133mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RS1E240BNTB 起订4个装
    ROHM Mosfet场效应管 RS1E240BNTB 起订4个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RS1E240BNTB

    工作温度:150℃

    功率:3W€30W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3900pF@15V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@24A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPW1R306PL,L1Q 起订1个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPW1R306PL,L1Q 起订1个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPW1R306PL,L1Q

    工作温度:175℃

    功率:960mW€170W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:91nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8100pF@30V

    连续漏极电流:260A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.29mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ1E100XNTR 起订4个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ1E100XNTR 起订4个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ1E100XNTR

    工作温度:150℃

    功率:550mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:12.7nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1000pF@10V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RHK003N06T146 起订18个装
    ROHM Mosfet场效应管 RHK003N06T146 起订18个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RHK003N06T146

    工作温度:150℃

    功率:200mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:33pF@10V

    连续漏极电流:300mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1Ω@300mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8010ET30 起订299个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8010ET30 起订299个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":24000,"MI+":15000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC8010ET30

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.8W€65W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:94nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5860pF@15V

    连续漏极电流:30A€174A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.3mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RSQ030N08HZGTR 起订3个装
    ROHM Mosfet场效应管 RSQ030N08HZGTR 起订3个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RSQ030N08HZGTR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:950mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.5nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:550pF@10V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:131mΩ@3A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN63D1L-13 起订80个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN63D1L-13 起订80个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN63D1L-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:370mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:0.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:30pF@25V

    连续漏极电流:380mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 2SK2463T100 起订3个装
    ROHM Mosfet场效应管 2SK2463T100 起订3个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2SK2463T100

    工作温度:150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:200pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3E100GNTB 起订8个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3E100GNTB 起订8个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ3E100GNTB

    工作温度:150℃

    功率:2W€15W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:7.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:420pF@15V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.7mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN601K-7 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN601K-7 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN601K-7

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:300mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3G100GNTB 起订4个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3G100GNTB 起订4个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ3G100GNTB

    工作温度:150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:8.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:615pF@20V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:14.3mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    EPC Mosfet场效应管 EPC2040 起订2个装
    EPC Mosfet场效应管 EPC2040 起订2个装

    品牌:EPC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):EPC2040

    工作温度:-40℃~150℃

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.93nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:105pF@6V

    连续漏极电流:3.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@1.5A,5V

    漏源电压:15V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RSD175N10TL 起订3个装
    ROHM Mosfet场效应管 RSD175N10TL 起订3个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RSD175N10TL

    工作温度:150℃

    功率:20W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:950pF@25V

    连续漏极电流:17.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:105mΩ@8.8A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5E035BNTCL 起订8个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5E035BNTCL 起订8个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ5E035BNTCL

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:250pF@15V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:37mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RSQ015N06TR 起订4个装
    ROHM Mosfet场效应管 RSQ015N06TR 起订4个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RSQ015N06TR

    工作温度:150℃

    功率:950mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:2nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:110pF@10V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:290mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RSD050N10TL 起订3个装
    ROHM Mosfet场效应管 RSD050N10TL 起订3个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RSD050N10TL

    工作温度:150℃

    功率:15W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:530pF@25V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:190mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RD3P050SNTL1 起订2500个装
    ROHM Mosfet场效应管 RD3P050SNTL1 起订2500个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RD3P050SNTL1

    工作温度:150℃

    功率:15W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:530pF@25V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:190mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 2SJ601-ZK-E1-AZ 起订1个装
    RENESAS Mosfet场效应管 2SJ601-ZK-E1-AZ 起订1个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2SJ601-ZK-E1-AZ

    工作温度:150℃

    功率:1W€65W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:63nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3300pF@10V

    连续漏极电流:36A

    类型:N沟道

    导通电阻:31mΩ@18A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    ROHM Mosfet场效应管 RSQ045N03HZGTR 起订3000个装
    ROHM Mosfet场效应管 RSQ045N03HZGTR 起订3000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RSQ045N03HZGTR

    工作温度:150℃

    功率:950mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.5nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:520pF@10V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:38mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    DIODES Mosfet场效应管 2N7002K-7 起订114个装
    DIODES Mosfet场效应管 2N7002K-7 起订114个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002K-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:370mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:0.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:380mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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