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    onsemi Mosfet场效应管 NVB072N65S3 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVB072N65S3 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVB072N65S3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:312W

    阈值电压:4.5V@1mA

    栅极电荷:82nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:330pF@400V

    连续漏极电流:44A

    类型:N沟道

    导通电阻:72mΩ@24A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6015ANX 起订1个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6015ANX 起订1个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6015ANX

    工作温度:150℃

    功率:50W

    阈值电压:4.5V@1mA

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:1700pF@25V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:300mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6004CNDTL 起订7个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6004CNDTL 起订7个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6004CNDTL

    工作温度:150℃

    功率:40W

    阈值电压:4.5V@1mA

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:280pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8Ω@2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXTH110N25T 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXTH110N25T 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTH110N25T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:694W

    阈值电压:4.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:157nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:9400pF@25V

    连续漏极电流:110A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@55A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXFH230N10T 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXFH230N10T 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFH230N10T

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:650W

    阈值电压:4.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:250nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:15300pF@25V

    连续漏极电流:230A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.7mΩ@500mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 GAN063-650WSAQ 起订1个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 GAN063-650WSAQ 起订1个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):300psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):GAN063-650WSAQ

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:143W

    阈值电压:4.5V@1mA

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1000pF@400V

    连续漏极电流:34.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:60mΩ@25A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK20A60W5,S5VX 起订2个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK20A60W5,S5VX 起订2个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK20A60W5,S5VX

    工作温度:150℃

    功率:45W

    阈值电压:4.5V@1mA

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1800pF@300V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:175mΩ@10A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK20V60W5,LVQ 起订10个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK20V60W5,LVQ 起订10个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK20V60W5,LVQ

    工作温度:150℃

    功率:156W

    阈值电压:4.5V@1mA

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1800pF@300V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:190mΩ@10A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVB072N65S3 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVB072N65S3 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVB072N65S3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:312W

    阈值电压:4.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:82nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:330pF@400V

    连续漏极电流:44A

    类型:N沟道

    导通电阻:72mΩ@24A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6015ANX 起订10个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6015ANX 起订10个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6015ANX

    工作温度:150℃

    功率:50W

    阈值电压:4.5V@1mA

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:1700pF@25V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:300mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCD360N65S3R0 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCD360N65S3R0 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCD360N65S3R0

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:4.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:730pF@400V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:360mΩ@5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCD360N65S3R0 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCD360N65S3R0 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCD360N65S3R0

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:4.5V@1mA

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:730pF@400V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:360mΩ@5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R5007ANX 起订10个装
    ROHM Mosfet场效应管 R5007ANX 起订10个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R5007ANX

    工作温度:150℃

    功率:40W

    阈值电压:4.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:500pF@25V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.05Ω@3.5A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 GAN041-650WSBQ 起订50个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 GAN041-650WSBQ 起订50个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):300psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):GAN041-650WSBQ

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:187W

    阈值电压:4.5V@1mA

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1500pF@400V

    连续漏极电流:47.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:41mΩ@32A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCP360N65S3R0 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCP360N65S3R0 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCP360N65S3R0

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:4.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:730pF@400V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:360mΩ@5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6020ANJTL 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6020ANJTL 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6020ANJTL

    工作温度:150℃

    功率:100W

    阈值电压:4.5V@1mA

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2040pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:250mΩ@10A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK20V60W5,LVQ 起订100个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK20V60W5,LVQ 起订100个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK20V60W5,LVQ

    工作温度:150℃

    功率:156W

    阈值电压:4.5V@1mA

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1800pF@300V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:190mΩ@10A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCP360N65S3R0 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCP360N65S3R0 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":338,"22+":4000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCP360N65S3R0

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:4.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:730pF@400V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:360mΩ@5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXFH230N10T 起订120个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXFH230N10T 起订120个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFH230N10T

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:650W

    阈值电压:4.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:250nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:15300pF@25V

    连续漏极电流:230A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.7mΩ@500mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXFH230N10T 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXFH230N10T 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFH230N10T

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:650W

    阈值电压:4.5V@1mA

    栅极电荷:250nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:15300pF@25V

    连续漏极电流:230A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.7mΩ@500mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCP360N65S3R0 起订300个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCP360N65S3R0 起订300个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":338,"22+":4000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCP360N65S3R0

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:4.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:730pF@400V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:360mΩ@5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6004CNDTL 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6004CNDTL 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6004CNDTL

    工作温度:150℃

    功率:40W

    阈值电压:4.5V@1mA

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:280pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8Ω@2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXFH230N10T 起订10个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXFH230N10T 起订10个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFH230N10T

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:650W

    阈值电压:4.5V@1mA

    栅极电荷:250nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:15300pF@25V

    连续漏极电流:230A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.7mΩ@500mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVB072N65S3 起订400个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVB072N65S3 起订400个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVB072N65S3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:312W

    阈值电压:4.5V@1mA

    栅极电荷:82nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:330pF@400V

    连续漏极电流:44A

    类型:N沟道

    导通电阻:72mΩ@24A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCD360N65S3R0 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCD360N65S3R0 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCD360N65S3R0

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:4.5V@1mA

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:730pF@400V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:360mΩ@5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6006ANX 起订10个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6006ANX 起订10个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6006ANX

    工作温度:150℃

    功率:40W

    阈值电压:4.5V@1mA

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:520pF@25V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2Ω@3A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCP360N65S3R0 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCP360N65S3R0 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":338,"22+":4000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCP360N65S3R0

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:4.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:730pF@400V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:360mΩ@5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK20V60W5,LVQ 起订500个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK20V60W5,LVQ 起订500个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK20V60W5,LVQ

    工作温度:150℃

    功率:156W

    阈值电压:4.5V@1mA

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1800pF@300V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:190mΩ@10A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    ROHM Mosfet场效应管 R5207ANDTL 起订2000个装
    ROHM Mosfet场效应管 R5207ANDTL 起订2000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R5207ANDTL

    工作温度:150℃

    功率:40W

    阈值电压:4.5V@1mA

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:500pF@25V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:1Ω@3.5A,10V

    漏源电压:525V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 NVB072N65S3 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVB072N65S3 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":3,"22+":54420,"MI+":6400}

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVB072N65S3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:312W

    阈值电压:4.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:82nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:330pF@400V

    连续漏极电流:44A

    类型:N沟道

    导通电阻:72mΩ@24A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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