采购热线 400-661-9010
生产批次：08+
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4468
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@15V
连续漏极电流：10.5A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@11.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4468
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@15V
连续漏极电流：10.5A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@11.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：08+
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4468
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@15V
连续漏极电流：10.5A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@11.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：101，"22+"：1000，"MI+"：6000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS7698
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€29W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1605pF@15V
连续漏极电流：13.5A€22A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@13.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7812DN-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.8W€52W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@35V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@7.2A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4468
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@15V
连续漏极电流：10.5A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@11.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7812DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.8W€52W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@35V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@7.2A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS7698
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€29W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1605pF@15V
连续漏极电流：13.5A€22A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@13.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4468
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@15V
连续漏极电流：10.5A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@11.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4468
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@15V
连续漏极电流：10.5A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@11.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7812DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.8W€52W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@35V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@7.2A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7812DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.8W€52W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@35V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@7.2A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7812DN-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.8W€52W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@35V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@7.2A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4468
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@15V
连续漏极电流：10.5A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@11.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4468
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@15V
连续漏极电流：10.5A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@11.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4468
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@15V
连续漏极电流：10.5A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@11.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4468
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@15V
连续漏极电流：10.5A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@11.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7812DN-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.8W€52W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@35V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@7.2A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7812DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.8W€52W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@35V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@7.2A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4468
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@15V
连续漏极电流：10.5A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@11.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4468
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@15V
连续漏极电流：10.5A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@11.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS7698
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€29W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1605pF@15V
连续漏极电流：13.5A€22A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@13.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4468
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@15V
连续漏极电流：10.5A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@11.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4468
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@15V
连续漏极电流：10.5A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@11.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7812DN-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.8W€52W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@35V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@7.2A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS7698
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€29W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1605pF@15V
连续漏极电流：13.5A€22A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@13.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4468
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@15V
连续漏极电流：10.5A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@11.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS7698
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€29W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1605pF@15V
连续漏极电流：13.5A€22A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@13.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4468
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@15V
连续漏极电流：10.5A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@11.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7812DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.8W€52W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@35V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@7.2A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
