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    类型: N沟道
    阈值电压: 3V@250µA
    漏源电压: 30V
    当前匹配商品:2100+
    商品信息
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    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDS6612A 起订917个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDS6612A 起订917个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):917psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS6612A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.6nC@5V

    包装方式:散装

    输入电容:560pF@15V

    连续漏极电流:8.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@8.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4842BDY-T1-E3 起订2500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4842BDY-T1-E3 起订2500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4842BDY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W€6.25W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3650pF@15V

    连续漏极电流:28A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7806ADN-T1-E3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7806ADN-T1-E3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7806ADN-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@14A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2306CX RFG 起订3个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2306CX RFG 起订3个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM2306CX RFG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:555pF@15V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:57mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3110S-7 起订32个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3110S-7 起订32个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3110S-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:740mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:8.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:305.8pF@15V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:73mΩ@3.1mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOD4132 起订6个装
    AOS Mosfet场效应管 AOD4132 起订6个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOD4132

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.5W€100W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:76nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4400pF@15V

    连续漏极电流:85A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDC655BN 起订3000个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDC655BN 起订3000个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC655BN

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:570pF@15V

    连续漏极电流:6.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@6.3A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5418DU-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5418DU-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI5418DU-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€31W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1350pF@15V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:14.5mΩ@7.7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS4141NT1G 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS4141NT1G 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTGS4141NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:560pF@24V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7336ADP-T1-E3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7336ADP-T1-E3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7336ADP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.4W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:50nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5600pF@15V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:3mΩ@25A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1302DL-T1-BE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1302DL-T1-BE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1302DL-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:280mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:1.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:600mA

    类型:N沟道

    导通电阻:480mΩ@600mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT3006LDK-7 起订4个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT3006LDK-7 起订4个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT3006LDK-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1320pF@15V

    连续漏极电流:17.1A€46.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.5mΩ@12A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDMS8680 起订376个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDMS8680 起订376个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":5486,"12+":162000,"16+":147000,"MI+":6000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS8680

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€50W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1590pF@15V

    连续漏极电流:14A€35A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@14A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 SI2306-TP 起订42个装
    MCC Mosfet场效应管 SI2306-TP 起订42个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2306-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:4.5nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:305pF@15V

    连续漏极电流:3.16A

    类型:N沟道

    导通电阻:65mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS8020 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS8020 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS8020

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€65W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:61nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3800pF@15V

    连续漏极电流:26A€42A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5mΩ@26A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4430BDY-T1-E3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4430BDY-T1-E3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4430BDY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:36nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN3F30FHTA 起订12个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN3F30FHTA 起订12个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN3F30FHTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:950mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:7.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:318pF@15V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:47mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDS6294 起订1158个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDS6294 起订1158个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"05+":55,"06+":1394,"07+":5579,"08+":632817,"11+":2190,"14+":5000,"16+":4400,"17+":900,"MI+":20000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS6294

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@5V

    输入电容:1205pF@15V

    连续漏极电流:13A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.3mΩ@13A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT3006LPS-13 起订14个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT3006LPS-13 起订14个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT3006LPS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W€42W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:22.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1320pF@15V

    连续漏极电流:16A€65A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Central Mosfet场效应管 CWDM3011N TR13 PBFREE 起订3个装
    Central Mosfet场效应管 CWDM3011N TR13 PBFREE 起订3个装

    品牌:Central

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CWDM3011N TR13 PBFREE

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.3nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:860pF@15V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@11A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDS6690A 起订3个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDS6690A 起订3个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS6690A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1205pF@15V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:12.5mΩ@11A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT3004LPS-13 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT3004LPS-13 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT3004LPS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.7W€113W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:43.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2370pF@15V

    连续漏极电流:21A€140A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7805TRPBF 起订731个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7805TRPBF 起订731个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":342,"21+":134821}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7805TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:31nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:13A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@7A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT3006LFVQ-7 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT3006LFVQ-7 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT3006LFVQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1155pF@15V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC7696 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC7696 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC7696

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W€25W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1430pF@15V

    连续漏极电流:12A€20A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.5mΩ@12A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDS6294 起订962个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDS6294 起订962个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS6294

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@5V

    输入电容:1205pF@15V

    连续漏极电流:13A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.3mΩ@13A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7336ADP-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7336ADP-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7336ADP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.4W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:50nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5600pF@15V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:3mΩ@25A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA7672 起订5个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA7672 起订5个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA7672

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:760pF@15V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:21mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4842BDY-T1-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4842BDY-T1-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4842BDY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W€6.25W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3650pF@15V

    连续漏极电流:28A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3456DDV-T1-E3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3456DDV-T1-E3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3456DDV-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W€2.7W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:325pF@15V

    连续漏极电流:6.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:40mΩ@5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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