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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMT560ENEAX
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：112pF@50V
连续漏极电流：1.1A
类型：N沟道
导通电阻：715mΩ@1.1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV280ENEAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：580mW
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：6.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@50V
连续漏极电流：1.1A
类型：N沟道
导通电阻：385mΩ@1.1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMT560ENEAX
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：4.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：112pF@50V
连续漏极电流：1.1A
类型：N沟道
导通电阻：715mΩ@1.1A，10V
漏源电压：100V
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PMXB360ENEAZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW€6.25W
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：4.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：130pF@40V
连续漏极电流：1.1A
类型：N沟道
导通电阻：450mΩ@1.1A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PMV280ENEAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：580mW
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：6.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@50V
连续漏极电流：1.1A
类型：N沟道
导通电阻：385mΩ@1.1A，10V
漏源电压：100V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PMV280ENEAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：580mW
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：6.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@50V
连续漏极电流：1.1A
类型：N沟道
导通电阻：385mΩ@1.1A，10V
漏源电压：100V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PMT560ENEAX
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：112pF@50V
连续漏极电流：1.1A
类型：N沟道
导通电阻：715mΩ@1.1A，10V
漏源电压：100V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PMV280ENEAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：580mW
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@50V
连续漏极电流：1.1A
类型：N沟道
导通电阻：385mΩ@1.1A，10V
漏源电压：100V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PMV280ENEAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：580mW
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：6.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@50V
连续漏极电流：1.1A
类型：N沟道
导通电阻：385mΩ@1.1A，10V
漏源电压：100V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PMV280ENEAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：580mW
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@50V
连续漏极电流：1.1A
类型：N沟道
导通电阻：385mΩ@1.1A，10V
漏源电压：100V
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规格型号(MPN)：PMXB360ENEAZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW€6.25W
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：4.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：130pF@40V
连续漏极电流：1.1A
类型：N沟道
导通电阻：450mΩ@1.1A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PMT560ENEAX
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：112pF@50V
连续漏极电流：1.1A
类型：N沟道
导通电阻：715mΩ@1.1A，10V
漏源电压：100V
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规格型号(MPN)：PMXB360ENEAZ
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功率：400mW€6.25W
阈值电压：2.7V@250µA
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输入电容：130pF@40V
连续漏极电流：1.1A
类型：N沟道
导通电阻：450mΩ@1.1A，10V
漏源电压：80V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PMXB360ENEAZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW€6.25W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：130pF@40V
连续漏极电流：1.1A
类型：N沟道
导通电阻：450mΩ@1.1A，10V
漏源电压：80V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PMXB360ENEAZ
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阈值电压：2.7V@250µA
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输入电容：130pF@40V
连续漏极电流：1.1A
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导通电阻：450mΩ@1.1A，10V
漏源电压：80V
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栅极电荷：4.5nC@10V
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输入电容：130pF@40V
连续漏极电流：1.1A
类型：N沟道
导通电阻：450mΩ@1.1A，10V
漏源电压：80V
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规格型号(MPN)：PMV280ENEAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：580mW
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@50V
连续漏极电流：1.1A
类型：N沟道
导通电阻：385mΩ@1.1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PMV280ENEAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：580mW
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：6.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@50V
连续漏极电流：1.1A
类型：N沟道
导通电阻：385mΩ@1.1A，10V
漏源电压：100V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PMXB360ENEAZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW€6.25W
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：4.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：130pF@40V
连续漏极电流：1.1A
类型：N沟道
导通电阻：450mΩ@1.1A，10V
漏源电压：80V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV280ENEAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：580mW
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：6.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@50V
连续漏极电流：1.1A
类型：N沟道
导通电阻：385mΩ@1.1A，10V
漏源电压：100V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PMV280ENEAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：580mW
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@50V
连续漏极电流：1.1A
类型：N沟道
导通电阻：385mΩ@1.1A，10V
漏源电压：100V
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PMV280ENEAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：580mW
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：6.8nC@10V
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输入电容：190pF@50V
连续漏极电流：1.1A
类型：N沟道
导通电阻：385mΩ@1.1A，10V
漏源电压：100V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMT560ENEAX
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：112pF@50V
连续漏极电流：1.1A
类型：N沟道
导通电阻：715mΩ@1.1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV280ENEAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：580mW
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：6.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@50V
连续漏极电流：1.1A
类型：N沟道
导通电阻：385mΩ@1.1A，10V
漏源电压：100V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PMXB360ENEAZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW€6.25W
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：4.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：130pF@40V
连续漏极电流：1.1A
类型：N沟道
导通电阻：450mΩ@1.1A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV280ENEAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：580mW
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：6.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@50V
连续漏极电流：1.1A
类型：N沟道
导通电阻：385mΩ@1.1A，10V
漏源电压：100V
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV280ENEAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：580mW
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：6.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@50V
连续漏极电流：1.1A
类型：N沟道
导通电阻：385mΩ@1.1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMT560ENEAX
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：112pF@50V
连续漏极电流：1.1A
类型：N沟道
导通电阻：715mΩ@1.1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV280ENEAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：580mW
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：6.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@50V
连续漏极电流：1.1A
类型：N沟道
导通电阻：385mΩ@1.1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMT560ENEAX
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：112pF@50V
连续漏极电流：1.1A
类型：N沟道
导通电阻：715mΩ@1.1A，10V
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