品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV28UNEAR
工作温度:-55℃~150℃
功率:510mW€3.9W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:490pF@10V
连续漏极电流:4.7A
类型:N沟道
导通电阻:32mΩ@4.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV28UNEAR
工作温度:-55℃~150℃
功率:510mW€3.9W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:490pF@10V
连续漏极电流:4.7A
类型:N沟道
导通电阻:32mΩ@4.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV28UNEAR
工作温度:-55℃~150℃
功率:510mW€3.9W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:490pF@10V
连续漏极电流:4.7A
类型:N沟道
导通电阻:32mΩ@4.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV28UNEAR
工作温度:-55℃~150℃
功率:510mW€3.9W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:490pF@10V
连续漏极电流:4.7A
类型:N沟道
导通电阻:32mΩ@4.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV28UNEAR
工作温度:-55℃~150℃
功率:510mW€3.9W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:490pF@10V
连续漏极电流:4.7A
类型:N沟道
导通电阻:32mΩ@4.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV28UNEAR
工作温度:-55℃~150℃
功率:510mW€3.9W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:490pF@10V
连续漏极电流:4.7A
类型:N沟道
导通电阻:32mΩ@4.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV28UNEAR
工作温度:-55℃~150℃
功率:510mW€3.9W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:490pF@10V
连续漏极电流:4.7A
类型:N沟道
导通电阻:32mΩ@4.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB16NF06LT4
工作温度:-55℃~175℃
功率:45W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:345pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV28UNEAR
工作温度:-55℃~150℃
功率:510mW€3.9W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:490pF@10V
连续漏极电流:4.7A
类型:N沟道
导通电阻:32mΩ@4.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV28UNEAR
工作温度:-55℃~150℃
功率:510mW€3.9W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:490pF@10V
连续漏极电流:4.7A
类型:N沟道
导通电阻:32mΩ@4.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NXP
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN25UN,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:530mW€6.25W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:470pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:27mΩ@6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV28UNEAR
工作温度:-55℃~150℃
功率:510mW€3.9W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:490pF@10V
连续漏极电流:4.7A
类型:N沟道
导通电阻:32mΩ@4.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB16NF06LT4
工作温度:-55℃~175℃
功率:45W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:345pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV28UNEAR
工作温度:-55℃~150℃
功率:510mW€3.9W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:490pF@10V
连续漏极电流:4.7A
类型:N沟道
导通电阻:32mΩ@4.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NXP
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":3096,"MI+":1459}
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN25UN,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:530mW€6.25W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:470pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:27mΩ@6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB16NF06LT4
工作温度:-55℃~175℃
功率:45W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:345pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV28UNEAR
工作温度:-55℃~150℃
功率:510mW€3.9W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:490pF@10V
连续漏极电流:4.7A
类型:N沟道
导通电阻:32mΩ@4.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB16NF06LT4
工作温度:-55℃~175℃
功率:45W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:345pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB16NF06LT4
工作温度:-55℃~175℃
功率:45W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:345pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV28UNEAR
工作温度:-55℃~150℃
功率:510mW€3.9W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:490pF@10V
连续漏极电流:4.7A
类型:N沟道
导通电阻:32mΩ@4.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV28UNEAR
工作温度:-55℃~150℃
功率:510mW€3.9W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:490pF@10V
连续漏极电流:4.7A
类型:N沟道
导通电阻:32mΩ@4.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV28UNEAR
工作温度:-55℃~150℃
功率:510mW€3.9W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:490pF@10V
连续漏极电流:4.7A
类型:N沟道
导通电阻:32mΩ@4.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV28UNEAR
工作温度:-55℃~150℃
功率:510mW€3.9W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@4.5V
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输入电容:490pF@10V
连续漏极电流:4.7A
类型:N沟道
导通电阻:32mΩ@4.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB16NF06LT4
工作温度:-55℃~175℃
功率:45W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:345pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV28UNEAR
工作温度:-55℃~150℃
功率:510mW€3.9W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:490pF@10V
连续漏极电流:4.7A
类型:N沟道
导通电阻:32mΩ@4.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV28UNEAR
工作温度:-55℃~150℃
功率:510mW€3.9W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:490pF@10V
连续漏极电流:4.7A
类型:N沟道
导通电阻:32mΩ@4.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB16NF06LT4
工作温度:-55℃~175℃
功率:45W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:345pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB16NF06LT4
工作温度:-55℃~175℃
功率:45W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:345pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV28UNEAR
包装方式:卷带(TR)
功率:510mW€3.9W
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:32mΩ@4.7A,4.5V
类型:N沟道
连续漏极电流:4.7A
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
栅极电荷:10nC@4.5V
输入电容:490pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB16NF06LT4
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:90mΩ@8A,10V
功率:45W
类型:N沟道
漏源电压:60V
输入电容:345pF@25V
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:10nC@4.5V
连续漏极电流:16A
包装清单:商品主体 * 1
库存: