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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6K514NU，LF
工作温度：150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.4V@100µA
栅极电荷：7.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1110pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：11.6mΩ@4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF6715MTRPBF
工作温度：-40℃~150℃
功率：2.8W€78W
阈值电压：2.4V@100µA
栅极电荷：59nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5340pF@13V
连续漏极电流：34A€180A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@34A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF6715MTRPBF
工作温度：-40℃~150℃
功率：2.8W€78W
阈值电压：2.4V@100µA
栅极电荷：59nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5340pF@13V
连续漏极电流：34A€180A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@34A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：7，"22+"：4630}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF6715MTRPBF
工作温度：-40℃~150℃
功率：2.8W€78W
阈值电压：2.4V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：59nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5340pF@13V
连续漏极电流：34A€180A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@34A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6K514NU，LF
工作温度：150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.4V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1110pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：11.6mΩ@4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF6715MTRPBF
工作温度：-40℃~150℃
功率：2.8W€78W
阈值电压：2.4V@100µA
栅极电荷：59nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5340pF@13V
连续漏极电流：34A€180A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@34A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：7，"22+"：4630}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF6715MTRPBF
工作温度：-40℃~150℃
功率：2.8W€78W
阈值电压：2.4V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：59nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5340pF@13V
连续漏极电流：34A€180A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@34A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6K514NU，LF
工作温度：150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.4V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1110pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：11.6mΩ@4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6K514NU，LF
工作温度：150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.4V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1110pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：11.6mΩ@4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF6714MTRPBF
工作温度：-40℃~150℃
功率：2.8W€89W
阈值电压：2.4V@100µA
栅极电荷：44nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3890pF@13V
连续漏极电流：29A€166A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@29A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：2358，"19+"：6470，"20+"：24827，"21+"：6016，"22+"：18989，"23+"：8302，"24+"：15461}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF6716MTRPBF
工作温度：-40℃~150℃
功率：3.6W€78W
阈值电压：2.4V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：59nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5150pF@13V
连续漏极电流：39A€180A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@40A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：2358，"19+"：6470，"20+"：24827，"21+"：6016，"22+"：18989，"23+"：8302，"24+"：15461}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF6716MTRPBF
工作温度：-40℃~150℃
功率：3.6W€78W
阈值电压：2.4V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：59nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5150pF@13V
连续漏极电流：39A€180A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@40A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6K514NU，LF
工作温度：150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.4V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1110pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：11.6mΩ@4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6K514NU，LF
工作温度：150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.4V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1110pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：11.6mΩ@4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：3200，"19+"：1000，"20+"：2000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRL40B215
工作温度：-55℃~175℃
功率：143W
阈值电压：2.4V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：84nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：5225pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@98A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6K514NU，LF
工作温度：150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.4V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1110pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：11.6mΩ@4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF6715MTRPBF
工作温度：-40℃~150℃
功率：2.8W€78W
阈值电压：2.4V@100µA
栅极电荷：59nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5340pF@13V
连续漏极电流：34A€180A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@34A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6K514NU，LF
工作温度：150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.4V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1110pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：11.6mΩ@4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：3200，"19+"：1000，"20+"：2000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRL40B215
工作温度：-55℃~175℃
功率：143W
阈值电压：2.4V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：84nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：5225pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@98A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6K514NU，LF
工作温度：150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.4V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1110pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：11.6mΩ@4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：7，"22+"：4630}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF6715MTRPBF
工作温度：-40℃~150℃
功率：2.8W€78W
阈值电压：2.4V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：59nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5340pF@13V
连续漏极电流：34A€180A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@34A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6K514NU，LF
工作温度：150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.4V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1110pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：11.6mΩ@4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6K514NU，LF
工作温度：150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.4V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1110pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：11.6mΩ@4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF6715MTRPBF
工作温度：-40℃~150℃
功率：2.8W€78W
阈值电压：2.4V@100µA
栅极电荷：59nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5340pF@13V
连续漏极电流：34A€180A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@34A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6K514NU，LF
工作温度：150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.4V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1110pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：11.6mΩ@4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6K514NU，LF
工作温度：150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.4V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1110pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：11.6mΩ@4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：2358，"19+"：6470，"20+"：24827，"21+"：6016，"22+"：18989，"23+"：8302，"24+"：15461}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF6716MTRPBF
工作温度：-40℃~150℃
功率：3.6W€78W
阈值电压：2.4V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：59nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5150pF@13V
连续漏极电流：39A€180A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@40A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF6714MTRPBF
工作温度：-40℃~150℃
功率：2.8W€89W
阈值电压：2.4V@100µA
栅极电荷：44nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3890pF@13V
连续漏极电流：29A€166A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@29A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6K514NU，LF
工作温度：150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.4V@100µA
栅极电荷：7.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1110pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：11.6mΩ@4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6K514NU，LF
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
漏源电压：40V
类型：N沟道
连续漏极电流：12A
阈值电压：2.4V@100µA
导通电阻：11.6mΩ@4A，10V
输入电容：1110pF@20V
功率：2.5W
栅极电荷：7.5nC@4.5V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
