采购热线 400-661-9010
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G2K3N10H
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：434pF@50V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：220mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G2K3N10H
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：434pF@50V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：220mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G2K3N10H
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：434pF@50V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：220mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IQE006NE2LM5CGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€89W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：82.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5453pF@12V
连续漏极电流：41A€298A
类型：N沟道
导通电阻：650mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6008LFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W€41W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：50.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2713pF@30V
连续漏极电流：13A€60A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV37EN2R
工作温度：-55℃~150℃
功率：510mW€5W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：209pF@15V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@4.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQT7N10LTF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：290pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：350mΩ@850mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6009LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：33.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1925pF@30V
连续漏极电流：10.8A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@13.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN66D0LT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：200mW
阈值电压：2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23pF@25V
连续漏极电流：115mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@115mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4848DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.7A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@3.5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC0503NSIATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€36W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@15V
连续漏极电流：22A€88A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G2K3N10H
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：434pF@50V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：220mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G2K3N10H
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：434pF@50V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：220mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G2K3N10H
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：434pF@50V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：220mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G2K3N10H
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：434pF@50V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：220mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G2K3N10H
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：434pF@50V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：220mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5H414NLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€110W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4550pF@20V
连续漏极电流：35A€210A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD14N03RT4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.04W€20.8W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：1.8nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：115pF@20V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：95mΩ@5A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6402LVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.75W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：498pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS1D5N03
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：63nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9690pF@15V
连续漏极电流：218A
类型：N沟道
导通电阻：1.15mΩ@40A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002AQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：370mW
阈值电压：2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23pF@25V
连续漏极电流：180mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@115mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLL014NTRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：230pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@2A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ018NE2LSIATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€69W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2500pF@12V
连续漏极电流：22A€40A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC0503NSIATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€36W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@15V
连续漏极电流：22A€88A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC012N03
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€64W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8183pF@15V
连续漏极电流：35A€185A
类型：N沟道
导通电阻：1.23mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG3406L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：770mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：495pF@15V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@3.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC009NE2LS5IATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€74W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3200pF@12V
连续漏极电流：40A€100A
类型：N沟道
导通电阻：0.95mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLL014NTRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：230pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@2A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G2K3N10H
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
功率：2.4W
连续漏极电流：2A
阈值电压：2V@250µA
输入电容：434pF@50V
导通电阻：220mΩ@2A，10V
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G2K3N10H
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
功率：2.4W
连续漏极电流：2A
阈值电压：2V@250µA
输入电容：434pF@50V
导通电阻：220mΩ@2A，10V
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
