采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG11N80AE-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：78W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：管件
输入电容：804pF@100V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：450mΩ@5.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB22N60AE-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：179W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1451pF@100V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@11A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFIBE20GPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：30W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：管件
输入电容：530pF@25V
连续漏极电流：1.4A
类型：N沟道
导通电阻：6.5Ω@840mA，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB22N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：227W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1920pF@100V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@11A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF640PBF-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@11A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD11N65M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：85W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：12.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：410pF@100V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：670mΩ@3.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFBG30PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：管件
输入电容：980pF@25V
连续漏极电流：3.1A
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@1.9A，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMT800150DC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€156W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：108nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8205pF@75V
连续漏极电流：15A€99A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@15A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB0250N807L
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.8W€214W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：200nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15400pF@40V
连续漏极电流：240A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@30A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR5802DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3020pF@40V
连续漏极电流：33.6A€137.5A
类型：N沟道
导通电阻：2.9mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB30NF20
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1597pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：75mΩ@15A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF740PBF-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：550mΩ@5.3A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFB9N60APBF-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：170W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：9.2A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHA11N80E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：34W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：88nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1670pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：440mΩ@5.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB28N60EF-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2714pF@100V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：123mΩ@14A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86152
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W€125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3370pF@50V
连续漏极电流：14A€45A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@14A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCTL295N06Y-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：313W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：108nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8350pF@30V
连续漏极电流：295A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF840ALPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1018pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@4.8A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR110TRPBF-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€25W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：180pF@25V
连续漏极电流：4.3A
类型：N沟道
导通电阻：540mΩ@2.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP10N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：85W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：13.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：400pF@100V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STFH10N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：13.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：400pF@100V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFP450PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：190W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：150nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2600pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@8.4A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF640STRRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€130W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@11A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：3000，"22+"：5487，"MI+"：2406}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC2512-P
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：344pF@75V
连续漏极电流：1.4A
类型：N沟道
导通电阻：425mΩ@1.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86540
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€96W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6435pF@30V
连续漏极电流：20A€50A
类型：N沟道
导通电阻：3.4mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG47N60E-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：357W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：220nC@10V
包装方式：管件
输入电容：9620pF@100V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：64mΩ@24A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFBF20SPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€54W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：管件
输入电容：490pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：8Ω@1A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFPC40PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：6.8A
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@4.1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSJPF20N65-BP
工作温度：-55℃~150℃
功率：31.3W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：管件
输入电容：901pF@50V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@5.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM60NB099CF C0G
工作温度：-55℃~150℃
功率：69W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2587pF@100V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@5.3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
