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    类型: N沟道
    阈值电压: 4V@250µA
    ECCN: EAR99
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    行业应用: 工业
    当前匹配商品:2600+
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    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB099CF C0G
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB099CF C0G

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM60NB099CF C0G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:69W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2587pF@100V

    连续漏极电流:38A

    类型:N沟道

    导通电阻:99mΩ@5.3A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 GC11N65D5
    谷峰 Mosfet场效应管 GC11N65D5

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GC11N65D5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:78W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:901pF@50V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:360mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB099CF C0G
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB099CF C0G

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM60NB099CF C0G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:69W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2587pF@100V

    连续漏极电流:38A

    类型:N沟道

    导通电阻:99mΩ@5.3A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM8N80CI C0G
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM8N80CI C0G

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM8N80CI C0G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:40.3W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1921pF@25V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.05Ω@4A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    谷峰 Mosfet场效应管 GC11N65D5
    谷峰 Mosfet场效应管 GC11N65D5

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GC11N65D5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:78W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:901pF@50V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:360mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB380CP ROG 起订10个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB380CP ROG 起订10个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM60NB380CP ROG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:795pF@100V

    连续漏极电流:9.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@2.85A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB099PW C1G
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB099PW C1G

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM60NB099PW C1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:329W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2587pF@100V

    连续漏极电流:38A

    类型:N沟道

    导通电阻:99mΩ@11.7A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB380CP ROG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB380CP ROG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM60NB380CP ROG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:795pF@100V

    连续漏极电流:9.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@2.85A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB099PW C1G
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB099PW C1G

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM60NB099PW C1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:329W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2587pF@100V

    连续漏极电流:38A

    类型:N沟道

    导通电阻:99mΩ@11.7A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:25
    强茂 Mosfet场效应管 PJMF210N65EC_T0_00601
    强茂 Mosfet场效应管 PJMF210N65EC_T0_00601

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJMF210N65EC_T0_00601

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:32W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1412pF@400V

    连续漏极电流:19A

    类型:N沟道

    导通电阻:210mΩ@9.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB099PW C1G
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB099PW C1G

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM60NB099PW C1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:329W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2587pF@100V

    连续漏极电流:38A

    类型:N沟道

    导通电阻:99mΩ@11.7A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    强茂 Mosfet场效应管 PJD30N15_L2_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJD30N15_L2_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJD30N15_L2_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€102W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1764pF@30V

    连续漏极电流:3.5A€25A

    类型:N沟道

    导通电阻:65mΩ@5A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    强茂 Mosfet场效应管 PJD30N15_L2_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJD30N15_L2_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJD30N15_L2_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€102W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1764pF@30V

    连续漏极电流:3.5A€25A

    类型:N沟道

    导通电阻:65mΩ@5A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    强茂 Mosfet场效应管 PJD30N15_L2_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJD30N15_L2_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJD30N15_L2_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€102W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1764pF@30V

    连续漏极电流:3.5A€25A

    类型:N沟道

    导通电阻:65mΩ@5A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM4N90CZ C0G
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM4N90CZ C0G

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM4N90CZ C0G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:38.7W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:955pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:4Ω@2A,10V

    漏源电压:900V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM4N90CZ C0G
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM4N90CZ C0G

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM4N90CZ C0G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:38.7W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:955pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:4Ω@2A,10V

    漏源电压:900V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    强茂 Mosfet场效应管 PJMD990N65EC_L2_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJMD990N65EC_L2_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJMD990N65EC_L2_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:47.5W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:306pF@400V

    连续漏极电流:4.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:990mΩ@2A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6000
    谷峰 Mosfet场效应管 GC11N65D5
    谷峰 Mosfet场效应管 GC11N65D5

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GC11N65D5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:78W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:901pF@50V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:360mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM8N80CI C0G
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM8N80CI C0G

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM8N80CI C0G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:40.3W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1921pF@25V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.05Ω@4A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJMF210N65EC_T0_00601
    强茂 Mosfet场效应管 PJMF210N65EC_T0_00601

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJMF210N65EC_T0_00601

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:32W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1412pF@400V

    连续漏极电流:19A

    类型:N沟道

    导通电阻:210mΩ@9.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM70N600CH C5G
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM70N600CH C5G

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM70N600CH C5G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.6nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:743pF@100V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@4A,10V

    漏源电压:700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 GC11N65D5
    谷峰 Mosfet场效应管 GC11N65D5

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GC11N65D5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:78W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:901pF@50V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:360mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    谷峰 Mosfet场效应管 GC11N65D5
    谷峰 Mosfet场效应管 GC11N65D5

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GC11N65D5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:78W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:901pF@50V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:360mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB099CF C0G
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB099CF C0G

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM60NB099CF C0G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:69W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2587pF@100V

    连续漏极电流:38A

    类型:N沟道

    导通电阻:99mΩ@5.3A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    谷峰 Mosfet场效应管 GC11N65D5
    谷峰 Mosfet场效应管 GC11N65D5

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GC11N65D5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:78W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:901pF@50V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:360mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    谷峰 Mosfet场效应管 GC11N65D5
    谷峰 Mosfet场效应管 GC11N65D5

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GC11N65D5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:78W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:901pF@50V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:360mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB099CF C0G
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB099CF C0G

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM60NB099CF C0G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:69W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2587pF@100V

    连续漏极电流:38A

    类型:N沟道

    导通电阻:99mΩ@5.3A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    强茂 Mosfet场效应管 PJMF210N65EC_T0_00601
    强茂 Mosfet场效应管 PJMF210N65EC_T0_00601

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJMF210N65EC_T0_00601

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:32W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1412pF@400V

    连续漏极电流:19A

    类型:N沟道

    导通电阻:210mΩ@9.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:50
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM8N80CI C0G
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM8N80CI C0G

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM8N80CI C0G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:40.3W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1921pF@25V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.05Ω@4A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM70N600CH C5G
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM70N600CH C5G

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM70N600CH C5G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.6nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:743pF@100V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@4A,10V

    漏源电压:700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:75
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