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    类型: N沟道
    阈值电压: 4V@250µA
    栅极电荷: 16nC@10V
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    当前匹配商品:100+
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    VISHAY Mosfet场效应管 SISS92DN-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS92DN-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS92DN-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:3.4A€12.3A

    类型:N沟道

    漏源电压:250V

    输入电容:350pF@125V

    导通电阻:173mΩ@3.6A,10V

    栅极电荷:16nC@10V

    阈值电压:4V@250µA

    功率:5.1W€65.8W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR120PBF 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR120PBF 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):75psc

    规格型号(MPN):IRFR120PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:360pF@25V

    类型:N沟道

    功率:2.5W€42W

    包装方式:管件

    栅极电荷:16nC@10V

    阈值电压:4V@250µA

    连续漏极电流:7.7A

    导通电阻:270mΩ@4.6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP12N60M2 起订2个装
    ST Mosfet场效应管 STP12N60M2 起订2个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):50psc

    规格型号(MPN):STP12N60M2

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:450mΩ@4.5A,10V

    类型:N沟道

    包装方式:管件

    栅极电荷:16nC@10V

    阈值电压:4V@250µA

    连续漏极电流:9A

    功率:85W

    漏源电压:600V

    输入电容:538pF@100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86104 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86104 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86104

    连续漏极电流:7A€16A

    包装方式:卷带(TR)

    功率:2.5W€73W

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    栅极电荷:16nC@10V

    阈值电压:4V@250µA

    导通电阻:24mΩ@7A,10V

    ECCN:EAR99

    漏源电压:100V

    输入电容:923pF@50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86104 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86104 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86104

    连续漏极电流:7A€16A

    包装方式:卷带(TR)

    功率:2.5W€73W

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    栅极电荷:16nC@10V

    阈值电压:4V@250µA

    导通电阻:24mΩ@7A,10V

    ECCN:EAR99

    漏源电压:100V

    输入电容:923pF@50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 IRFU220BTU-AM002 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 IRFU220BTU-AM002 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"MI+":5040}

    规格型号(MPN):IRFU220BTU-AM002

    输入电容:390pF@25V

    导通电阻:800mΩ@2.3A,10V

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€40W

    类型:N沟道

    连续漏极电流:4.6A

    包装方式:管件

    栅极电荷:16nC@10V

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS92DN-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS92DN-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS92DN-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:3.4A€12.3A

    类型:N沟道

    漏源电压:250V

    输入电容:350pF@125V

    导通电阻:173mΩ@3.6A,10V

    栅极电荷:16nC@10V

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    功率:5.1W€65.8W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR120TRLPBF 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR120TRLPBF 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR120TRLPBF

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:360pF@25V

    类型:N沟道

    功率:2.5W€42W

    栅极电荷:16nC@10V

    阈值电压:4V@250µA

    连续漏极电流:7.7A

    导通电阻:270mΩ@4.6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS92DN-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS92DN-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS92DN-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:3.4A€12.3A

    类型:N沟道

    漏源电压:250V

    输入电容:350pF@125V

    导通电阻:173mΩ@3.6A,10V

    栅极电荷:16nC@10V

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    功率:5.1W€65.8W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR120TRPBF 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR120TRPBF 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR120TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€42W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:360pF@25V

    连续漏极电流:7.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:270mΩ@4.6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    ST Mosfet场效应管 STU12N60M2 起订37个装
    ST Mosfet场效应管 STU12N60M2 起订37个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STU12N60M2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:85W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:538pF@100V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:450mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:37
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR120TRLPBF 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR120TRLPBF 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR120TRLPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€42W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:360pF@25V

    连续漏极电流:7.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:270mΩ@4.6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR120TRLPBF 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR120TRLPBF 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR120TRLPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€42W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:360pF@25V

    连续漏极电流:7.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:270mΩ@4.6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS92DN-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS92DN-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS92DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.1W€65.8W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@125V

    连续漏极电流:3.4A€12.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:173mΩ@3.6A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86104 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86104 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86104

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€73W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:923pF@50V

    连续漏极电流:7A€16A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@7A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR120PBF 起订6个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR120PBF 起订6个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR120PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€42W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:360pF@25V

    连续漏极电流:7.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:270mΩ@4.6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR120TRPBF 起订2000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR120TRPBF 起订2000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR120TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€42W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:360pF@25V

    连续漏极电流:7.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:270mΩ@4.6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2000
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR120PBF 起订59个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR120PBF 起订59个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR120PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€42W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:360pF@25V

    连续漏极电流:7.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:270mΩ@4.6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:59
    加购:58
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR120TRPBF 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR120TRPBF 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR120TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€42W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:360pF@25V

    连续漏极电流:7.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:270mΩ@4.6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS92DN-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS92DN-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS92DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.1W€65.8W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@125V

    连续漏极电流:3.4A€12.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:173mΩ@3.6A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS92DN-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS92DN-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS92DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.1W€65.8W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@125V

    连续漏极电流:3.4A€12.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:173mΩ@3.6A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR120PBF 起订6个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR120PBF 起订6个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR120PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€42W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:360pF@25V

    连续漏极电流:7.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:270mΩ@4.6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86104 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86104 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86104

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€73W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:923pF@50V

    连续漏极电流:7A€16A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@7A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR120TRLPBF 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR120TRLPBF 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR120TRLPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€42W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:360pF@25V

    连续漏极电流:7.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:270mΩ@4.6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    ST Mosfet场效应管 STP12N60M2 起订2个装
    ST Mosfet场效应管 STP12N60M2 起订2个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP12N60M2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:85W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:538pF@100V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:450mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR120TRPBF 起订7个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR120TRPBF 起订7个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR120TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€42W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:360pF@25V

    连续漏极电流:7.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:270mΩ@4.6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:7
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS92DN-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS92DN-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS92DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.1W€65.8W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@125V

    连续漏极电流:3.4A€12.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:173mΩ@3.6A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR120TRPBF 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR120TRPBF 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR120TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€42W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:360pF@25V

    连续漏极电流:7.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:270mΩ@4.6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR120TRPBF 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR120TRPBF 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR120TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€42W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:360pF@25V

    连续漏极电流:7.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:270mΩ@4.6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR120TRLPBF 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR120TRLPBF 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR120TRLPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€42W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:360pF@25V

    连续漏极电流:7.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:270mΩ@4.6A,10V

    漏源电压:100V

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