品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH41M8SPSQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.03W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:79.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6968pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.8mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":296,"14+":18500}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPI80N04S204AKSA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:170nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5300pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:3.7mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C404NWFET1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W€200W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:128nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8400pF@25V
连续漏极电流:53A€378A
类型:N沟道
导通电阻:0.70mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMTS0D7N04CTXG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W€273W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9281pF@25V
连续漏极电流:51A€430A
类型:N沟道
导通电阻:0.67mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":1532,"22+":1796,"23+":3287,"MI+":1938}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL0065N40
工作温度:-55℃~175℃
功率:429W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:296nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15900pF@25V
连续漏极电流:300A
类型:N沟道
导通电阻:0.65mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF2204PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:330W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:200nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5890pF@25V
连续漏极电流:210A
类型:N沟道
导通电阻:3.6mΩ@130A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF1404STRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€200W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:200nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7360pF@25V
连续漏极电流:162A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@95A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF1404LPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€200W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:200nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7360pF@25V
连续漏极电流:162A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@95A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL9403-F085T6
工作温度:-55℃~175℃
功率:4.3W€159.6W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:108nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6985pF@25V
连续漏极电流:50A€300A
类型:N沟道
导通电阻:0.95mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):100psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF4104PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:140W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3000pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:5.5mΩ@75A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":2500}
销售单位:个
规格型号(MPN):NP90N04VUG-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.2W€105W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:135nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7500pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@45A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH4004SPS-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.6W€167W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:68.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4305pF@25V
连续漏极电流:31A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.7mΩ@90A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT47M2SFVWQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.67W€27.1W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:12.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:897pF@20V
连续漏极电流:15.4A€49.1A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH4004SPS-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.6W€167W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:68.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4305pF@25V
连续漏极电流:31A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.7mΩ@90A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL0065N40
工作温度:-55℃~175℃
功率:429W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:296nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15900pF@25V
连续漏极电流:300A
类型:N沟道
导通电阻:0.65mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF2804STRL7PP
工作温度:-55℃~175℃
功率:330W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:260nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6930pF@25V
连续漏极电流:160A
类型:N沟道
导通电阻:1.6mΩ@160A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":44499}
销售单位:个
规格型号(MPN):AUIRF2804S-7P
工作温度:-55℃~175℃
功率:330W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:260nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6930pF@25V
连续漏极电流:240A
类型:N沟道
导通电阻:1.6mΩ@160A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":200,"19+":575,"22+":41995}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB160N04S203ATMA4
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:170nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5300pF@25V
连续漏极电流:160A
类型:N沟道
导通电阻:2.9mΩ@60A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD5C446NT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€66W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:34.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2300pF@25V
连续漏极电流:22A€105A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMNH4011SK3Q-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.6W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:25.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1405pF@20V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH4M70SPGWQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:5.6W€428W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:117.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10053pF@20V
连续漏极电流:460A
类型:N沟道
导通电阻:0.7mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD80N4F6
工作温度:-55℃~175℃
功率:70W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2150pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@40A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF2804STRL7PP
工作温度:-55℃~175℃
功率:330W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:260nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6930pF@25V
连续漏极电流:160A
类型:N沟道
导通电阻:1.6mΩ@160A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NP60N04VUK-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.2W€105W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3680pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:3.85mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL0065N40
工作温度:-55℃~175℃
功率:429W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:296nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15900pF@25V
连续漏极电流:300A
类型:N沟道
导通电阻:0.65mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH4004SCTB-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:4.7W€136W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:68.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4305pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@100A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NP109N04PUK-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.8W€250W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:189nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10800pF@25V
连续漏极电流:110A
类型:N沟道
导通电阻:1.75mΩ@55A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7739L1TRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€125W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:330nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11880pF@25V
连续漏极电流:46A€270A
类型:N沟道
导通电阻:1mΩ@160A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM110NB04CR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€68W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1443pF@20V
连续漏极电流:12A€54A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@12A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM043NB04CZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4928pF@20V
连续漏极电流:16A€124A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@16A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: