销售单位:个
规格型号(MPN):AOD464
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.3W€100W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2445pF@25V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@20A,10V
漏源电压:105V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD464
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.3W€100W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2445pF@25V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@20A,10V
漏源电压:105V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP3672
工作温度:-55℃~175℃
功率:135W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1670pF@25V
连续漏极电流:5.9A€41A
类型:N沟道
导通电阻:33mΩ@41A,10V
漏源电压:105V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP3672
工作温度:-55℃~175℃
功率:135W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1670pF@25V
连续漏极电流:5.9A€41A
类型:N沟道
导通电阻:33mΩ@41A,10V
漏源电压:105V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP3672
工作温度:-55℃~175℃
功率:135W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1670pF@25V
连续漏极电流:5.9A€41A
类型:N沟道
导通电阻:33mΩ@41A,10V
漏源电压:105V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD464
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.3W€100W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2445pF@25V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@20A,10V
漏源电压:105V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP3672
工作温度:-55℃~175℃
功率:135W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1670pF@25V
连续漏极电流:5.9A€41A
类型:N沟道
导通电阻:33mΩ@41A,10V
漏源电压:105V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP3672
工作温度:-55℃~175℃
功率:135W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1670pF@25V
连续漏极电流:5.9A€41A
类型:N沟道
导通电阻:33mΩ@41A,10V
漏源电压:105V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP3672
工作温度:-55℃~175℃
功率:135W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1670pF@25V
连续漏极电流:5.9A€41A
类型:N沟道
导通电阻:33mΩ@41A,10V
漏源电压:105V
包装清单:商品主体 * 1
库存: