采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFIZ48GPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2400pF@25V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@22A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFIZ48GPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2400pF@25V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@22A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFIZ48GPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
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栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2400pF@25V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@22A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFIZ48GPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
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栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2400pF@25V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@22A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFIZ48GPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
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栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2400pF@25V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@22A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFIZ48GPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2400pF@25V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@22A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFIZ48GPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2400pF@25V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@22A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：2878，"9999"：15，"MI+"：501}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP35N15G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€178W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3200pF@25V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@18.5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFIZ48GPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2400pF@25V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@22A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFIZ48GPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2400pF@25V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@22A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB35N15T4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€178W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3200pF@25V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@18.5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFIZ48GPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2400pF@25V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@22A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：2878，"9999"：15，"MI+"：501}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP35N15G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€178W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3200pF@25V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@18.5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFIZ48GPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2400pF@25V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@22A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFIZ48GPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2400pF@25V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@22A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFIZ48GPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2400pF@25V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@22A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：3500}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB35N15T4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€178W
阈值电压：4V@250µA
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栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3200pF@25V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@18.5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：2878，"9999"：15，"MI+"：501}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP35N15G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€178W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3200pF@25V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@18.5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：101}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB35N15T4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€178W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3200pF@25V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@18.5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFIZ48GPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2400pF@25V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@22A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFIZ48GPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2400pF@25V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@22A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：3500}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB35N15T4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€178W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3200pF@25V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@18.5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：101}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB35N15T4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€178W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3200pF@25V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@18.5A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：3500}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB35N15T4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€178W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3200pF@25V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@18.5A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：3500}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB35N15T4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€178W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3200pF@25V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@18.5A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFIZ48GPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2400pF@25V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@22A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP35N15G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€178W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3200pF@25V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@18.5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB35N15T4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€178W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3200pF@25V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@18.5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：1221
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFIZ48GPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2400pF@25V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@22A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB35N15T4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€178W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3200pF@25V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@18.5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
