采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN10A08E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：7.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：405pF@50V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@3.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN10A08E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：7.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：405pF@50V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@3.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN10A08E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：7.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：405pF@50V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@3.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：ZXMN10A08E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：405pF@50V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@3.2A，10V
漏源电压：100V
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：ZXMN10A08E6TA
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功率：1.1W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：405pF@50V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@3.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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功率：1.1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：7.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：405pF@50V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@3.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN10A08E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：405pF@50V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@3.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN10A08E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：405pF@50V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@3.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN10A08E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：7.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：405pF@50V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@3.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：4577，"23+"：1409}
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUFA75307T3ST
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@2.6A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN10A08E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：7.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：405pF@50V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@3.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN10A08E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：7.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：405pF@50V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@3.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN10A08E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：405pF@50V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@3.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：ZXMN10A08E6TA
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功率：1.1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：7.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：405pF@50V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@3.2A，10V
漏源电压：100V
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行业应用：工业,汽车
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工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：405pF@50V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@3.2A，10V
漏源电压：100V
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规格型号(MPN)：HUFA75307T3ST
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@2.6A，10V
漏源电压：55V
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功率：1.1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：7.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：405pF@50V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@3.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
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功率：1.1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：7.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：405pF@50V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@3.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：ZXMN10A08E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：7.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：405pF@50V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@3.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN10A08E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：7.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：405pF@50V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@3.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN10A08E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：405pF@50V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@3.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN10A08E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：405pF@50V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@3.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN10A08E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：405pF@50V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@3.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：ZXMN10A08E6TA
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功率：1.1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：7.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：405pF@50V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@3.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN10A08E6TA
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功率：1.1W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：405pF@50V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@3.2A，10V
漏源电压：100V
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行业应用：工业,汽车
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功率：1.1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：7.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：405pF@50V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@3.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：ZXMN10A08E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：7.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：405pF@50V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@3.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN10A08E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：405pF@50V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@3.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN10A08E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：7.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：405pF@50V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@3.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN10A08E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
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栅极电荷：7.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：405pF@50V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@3.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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